[实用新型]一种反激拓扑初级RCD吸收输出电路有效

专利信息
申请号: 201921942778.9 申请日: 2019-11-12
公开(公告)号: CN210693772U 公开(公告)日: 2020-06-05
发明(设计)人: 张建华;许峰 申请(专利权)人: 青岛元通电子有限公司
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335;H02M1/32
代理公司: 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 代理人: 郑青松
地址: 266000 *** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 拓扑 初级 rcd 吸收 输出 电路
【权利要求书】:

1.一种反激拓扑初级RCD吸收输出电路,其特征是,包括输入滤波电路、输入取样比较控制电路、RCD吸收电路和输出电路;所述输入滤波电路的输出端与输入取样比较控制电路的输入端连接,所述输入取样比较控制电路的输出端连接RCD吸收电路,所述RCD吸收电路连接输出电路。

2.根据权利要求1所述的反激拓扑初级RCD吸收输出电路,其特征是,所述输入滤波电路包括第一电感、以及并联的第四电容和第三电容,所述第一电感的一端作为输入正端,所述第一电感的另一端与并联的第四电容和第三电容的一端连接,所述并联的第四电容和第三电容的另一端作为输入负端。

3.根据权利要求2所述的反激拓扑初级RCD吸收输出电路,其特征是,所述输入取样比较控制电路包括比较器,所述比较器的正相输入端通过第二电阻与所述第一电感的另一端连接;所述比较器的输出端连接RCD吸收电路。

4.根据权利要求3所述的反激拓扑初级RCD吸收输出电路,其特征是,所述RCD吸收电路包括可调电阻电路和第二二极管;所述可调电阻电路包括第一MOS管,所述第一MOS管的栅极与所述比较器的输出端连接,所述第一MOS管的源极通过第一电阻分别与所述第一电感的另一端、输出电路连接,所述第一MOS管的源极还与所述比较器的反向输入端连接;所述第一MOS管的漏极与第二二极管的阴极连接,所述第二二极管的阳极分别与PWM控制电路、输出电路连接。

5.根据权利要求4所述的反激拓扑初级RCD吸收输出电路,其特征是,所述可调电阻电路的两端并联有第三电容。

6.根据权利要求4所述的反激拓扑初级RCD吸收输出电路,其特征是,所述输出电路包括变压器、第一二极管和第二电感;所述变压器的初级线圈一端与可调电阻电路连接,所述变压器的初级线圈另一端与所述第二二极管的阳极连接,所述变压器的次级线圈一端与第一二极管的阳极连接,所述第一二极管的阴极与第二电感一端连接,所述第二电感的另一端作为输出端;所述变压器的次级线圈另一端作为公共端。

7.根据权利要求6所述的反激拓扑初级RCD吸收输出电路,其特征是,所述变压器的次级线圈另一端与二极管的阴极之间连接有三个并联的电容。

8.根据权利要求6所述的反激拓扑初级RCD吸收输出电路,其特征是,还包括PWM控制电路,所述PWM控制电路包括PWM控制芯片和第二MOS管,所述PWM控制芯片的输出端与第二MOS管的栅极连接,所述第二MOS管的源极与所述第二二极管的阳极连接。

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