[实用新型]一种低EMI的VDMOS场效应管有效
| 申请号： | 201921949773.9 | 申请日： | 2019-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN210866186U | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 刘芬;王源政;马文力 | 申请（专利权）人： | 扬州国宇电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 黄启兵 |
| 地址： | 225000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 emi vdmos 场效应 | ||
1.一种低EMI的VDMOS场效应管，包括N+型重掺杂衬底，所述N+型重掺杂衬底下方设有背面金属层，其特征在于：所述N+型重掺杂衬底上方生长有N型外延层，所述N型外延层上方设有N-型外延层，所述N-型外延层上部设有P型重掺杂阱区，所述P型重掺杂阱区上部设有N型重掺杂源区，所述N-型外延层上方设有栅氧化层，所述栅氧化层上方设有多晶硅栅，所述多晶硅栅上方以及周面方淀积有钝化层，所述钝化层包覆所述多晶硅栅和所述栅氧化层上表面，所述钝化层以及所述N型重掺杂源区上方设有正面金属层，所述正面金属层包覆所述钝化层和所述N型重掺杂源区上表面，所述N型外延层的掺杂浓度大于所述N-型外延层的掺杂浓度且小于所述N+型重掺杂衬底的掺杂浓度，所述N型外延层的厚度小于所述N-型外延层的厚度，所述N型重掺杂源区的掺杂浓度大于所述N-型外延层的掺杂浓度。
2.根据权利要求1所述的一种低EMI的VDMOS场效应管，其特征在于：所述P型重掺杂阱区设有两个，每个所述P型重掺杂阱区上部分别设有所述N型重掺杂源区。
3.根据权利要求2所述的一种低EMI的VDMOS场效应管，其特征在于：两个所述P型重掺杂阱区相互对称设置，两个所述N型重掺杂源区相互对称设置。
4.根据权利要求1所述的一种低EMI的VDMOS场效应管，其特征在于：所述N-型外延层厚度为15-40um。
5.根据权利要求4所述的一种低EMI的VDMOS场效应管，其特征在于：所述N型外延层厚度为5-20um。
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