[实用新型]发光元件有效
申请号: | 201921951334.1 | 申请日: | 2019-11-12 |
公开(公告)号: | CN210743981U | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 李贞勳 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L27/15 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 李盛泉;孙昌浩 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 | ||
1.一种发光元件,其特征在于,包括:
发光结构物,包括多个发光部;
绝缘结构物,布置于所述发光结构物的外侧;以及
垫,在所述发光结构物的一面上与所述发光部电连接,
其中,所述垫各自的外侧壁布置于所述发光结构物的外侧壁的内侧及所述绝缘结构物的外侧壁的内侧,
所述垫中的至少一个垫向所述绝缘结构物的一面延伸,
所述绝缘结构物的一面是与所述发光结构物的一面相同的平面。
2.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,
除了向所述绝缘结构物延伸的至少一个垫之外的其余垫布置于所述发光结构物内。
3.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,
向所述绝缘结构物延伸的至少一个垫包括:
第一部分,布置于所述发光结构物的一面并具有第一宽度;以及
第二部分,从所述第一部分向所述绝缘结构物的一面延伸并具有大于所述第一宽度的第二宽度。
4.根据权利要求3所述的发光元件,其特征在于,
除了向所述绝缘结构物延伸的至少一个垫之外的垫具有大于所述第一宽度的第三宽度。
5.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,
向所述绝缘结构物延伸的至少一个垫包括:
第一部分,布置于所述发光结构物的一面并具有第一面积;以及
第二部分,从所述第一部分向所述绝缘结构物的一面延伸并具有大于所述第一面积的第二面积。
6.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,
向所述绝缘结构物延伸的至少一个垫包括:
第一部分,覆盖所述发光结构物的一面的至少一部分并具有第一宽度;以及
第二部分,从所述第一部分向所述绝缘结构物的一面延伸并具有与所述第一宽度相同的第二宽度。
7.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,
所述垫彼此沿水平相隔。
8.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,
向所述绝缘结构物一面延伸的一个垫与其余所述垫中的至少一个垫重叠,
所述一个垫通过钝化膜而与和所述一个垫重叠的至少一个垫绝缘。
9.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,
所述垫分别具有相同的尺寸。
10.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,
所述发光结构物为多个,
所述绝缘结构物填充所述发光结构物之间,
向所述绝缘结构物一面延伸的垫与相邻的发光结构物的发光部中的至少一个电连接。
11.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,还包括:
导电部,布置于所述垫上,从而将所述垫电粘结于贴装基板,
其中,所述至少一个垫布置于所述导电部中的至少一个与所述绝缘结构物的一面之间。
12.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,
所述发光结构物包括:
第一发光部,包括第1-1型半导体层、第一活性层和第1-2型半导体层;
第二发光部,布置于所述第一发光部上,包括第2-1型半导体层、第二活性层和第2-2型半导体层;
第三发光部,布置于所述第二发光部上,包括第3-1型半导体层、第三活性层和第3-2型半导体层。
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