[实用新型]一种导模法生长β-Ga2

权利要求书

1.一种导模法生长β-Ga₂O₃晶体的生长装置，其特征在于，包括坩埚、盖板、焊接片、模具组件；在所述坩埚的上方设置相对放置的所述盖板；在所述的盖板中间设置所述的模具组件；在所述的模具组件的两侧与所述的焊接片的一端焊接，所述的焊接片的一端搭接放在坩埚上；所述的盖板与所述的模具组件和所述的焊接片之间无缝隙；所述的模具组件包括模具片、中间模具片；在所述的模具片之间设置若干的中间模具片；模具片与中间模具片相对放置，之间设置一中间缝隙。

2.如权利要求1所述的一种导模法生长β-Ga₂O₃晶体的生长装置，其特征在于，所述的中间缝隙的宽度为0.2-0.6mm。

3.如权利要求1所述的一种导模法生长β-Ga₂O₃晶体的生长装置，其特征在于，所述模具片的竖直边相邻处设置第一倾斜边；在所述的中间模具片顶端两侧各设置第二倾斜边；第一倾斜边与第二倾斜边之间形成一凹槽。

4.如权利要求3所述的一种导模法生长β-Ga₂O₃晶体的生长装置，其特征在于，所述的第一倾斜边的角度为0°-75°；所述的第二倾斜边的角度为0°-75°；所述的凹槽的角度为0°-150°。

5.如权利要求3所述的一种导模法生长β-Ga₂O₃晶体的生长装置，其特征在于，所述的中间模具片与所述的模具片的侧边上进行两两焊接，焊接缝的宽度为4-60mm。

6.如权利要求5所述的一种导模法生长β-Ga₂O₃晶体的生长装置，其特征在于，所述的中间模具片的数量为1-15块。

7.如权利要求1所述的一种导模法生长β-Ga₂O₃晶体的生长装置，其特征在于，在所述的模具组件的下方设置若干个纵向的通道，通道呈方形，通道的高为10mm-150mm；长30mm-200mm。

8.如权利要求1所述的一种导模法生长β-Ga₂O₃晶体的生长装置，其特征在于，所述的模具组件、盖板、焊接片及坩埚的材料均为铱。

9.如权利要求8所述的一种导模法生长β-Ga₂O₃晶体的生长装置，其特征在于，坩埚内径为Φ80mm，外高度为40mm，厚度为2mm。