[实用新型]双充集成电路、芯片、双充芯片的应用电路及充电装置有效

专利信息
申请号: 201921953173.X 申请日: 2019-11-12
公开(公告)号: CN211209324U 公开(公告)日: 2020-08-07
发明(设计)人: 任仕鼎;谢大盛;王文胜;吴文龙 申请(专利权)人: 深圳市励创微电子有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文
地址: 518000 广东省深圳市南山区科*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 集成电路 芯片 应用 电路 充电 装置
【权利要求书】:

1.一种双充集成电路,其特征在于,包括:

用于提供基准信号的基准单元;

用于提供复位信号的复位单元;

与基准单元及复位单元连接的、用于分别对若干个电池进行充电的双充模块。

2.根据权利要求1所述的双充集成电路,其特征在于,所述双充电路还包括:

与复位单元、基准单元及双充模块连接的、用于对双充模块进行智能控制的智能控制模块。

3.根据权利要求2所述的双充集成电路,其特征在于,所述双充模块包括:

用于对不同电池进行充电的第一充电单元和第二充电单元;

所述第一充电单元和第二充电单元均与复位单元、基准单元及智能控制模块连接。

4.根据权利要求3所述的双充集成电路,其特征在于,所述智能控制模块包括:

用于检测电池温度并根据检测到的温度控制充电电流的温控单元;

用于检测第一充电单元的电流并进行均衡的第一输出电流控制单元;

用于检测第二充电单元的电流并进行均衡的第二输出电流控制单元;

所述温控单元与第一充电单元和第二充电单元连接的,所述第一输出电流控制单元和第二输出电流控制单元均与复位单元、基准单元连接,所述第一输出电流控制单元还与第一充电单元连接,所述第二输出电流控制单元还与第二充电单元连接,所述第一输出电流控制单元和第二输出电流控制单元互联。

5.根据权利要求4所述的双充集成电路,其特征在于,所述温控单元包括第一非门、第二非门、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管、第一三极管、第二三极管;

所述第一非门的输入端连接第一使能信号,所述第一非门的输出端与第二非门的输入端连接;所述第二非门的输出端与所述第一MOS管的栅极连接,所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第十三MOS管和第十四MOS管的源极以及第七MOS管、第八MOS管的衬底连接并接地,所述第一MOS管的漏极接第一偏置电流、并与所述第二MOS管的漏极和栅极、第三MOS管的栅极、第四MOS管的栅极、第五MOS管的栅极及第六MOS管的栅极连接,所述第三MOS管的漏极与所述第一三极管的基极、第二三极管的发射极连接,所述第四MOS管的漏极与所述第八MOS管的栅极及第一三极管的发射极连接,所述第五MOS管的漏极与源极互联,所述第六MOS管的漏极与所述第八MOS管的源极及第七MOS管的源极连接,所述第七MOS管的漏极与所述第九MOS管的漏极和栅极、第十二MOS管的栅极连接,所述第七MOS管的栅极接第二基准电压,所述第九MOS管的源极与所述第一三极管的集电极、第二三极管的基极和集电极、第十MOS管的源极、第十一MOS管的源极、第十二MOS管的源极连接,所述第八MOS管的漏极与所述第十MOS管的漏极和栅极、第十一MOS管的栅极连接,所述第十一MOS管的漏极与第十三MOS管的漏极和栅极、第十四MOS管的栅极连接,所述第十二MOS管的漏极与所述第十四MOS管的漏极连接并输出至第一充电单元和第二充电单元。

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