[实用新型]双充集成电路、芯片、双充芯片的应用电路及充电装置有效
申请号: | 201921953173.X | 申请日: | 2019-11-12 |
公开(公告)号: | CN211209324U | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 任仕鼎;谢大盛;王文胜;吴文龙 | 申请(专利权)人: | 深圳市励创微电子有限公司 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区科*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 芯片 应用 电路 充电 装置 | ||
1.一种双充集成电路,其特征在于,包括:
用于提供基准信号的基准单元;
用于提供复位信号的复位单元;
与基准单元及复位单元连接的、用于分别对若干个电池进行充电的双充模块。
2.根据权利要求1所述的双充集成电路,其特征在于,所述双充电路还包括:
与复位单元、基准单元及双充模块连接的、用于对双充模块进行智能控制的智能控制模块。
3.根据权利要求2所述的双充集成电路,其特征在于,所述双充模块包括:
用于对不同电池进行充电的第一充电单元和第二充电单元;
所述第一充电单元和第二充电单元均与复位单元、基准单元及智能控制模块连接。
4.根据权利要求3所述的双充集成电路,其特征在于,所述智能控制模块包括:
用于检测电池温度并根据检测到的温度控制充电电流的温控单元;
用于检测第一充电单元的电流并进行均衡的第一输出电流控制单元;
用于检测第二充电单元的电流并进行均衡的第二输出电流控制单元;
所述温控单元与第一充电单元和第二充电单元连接的,所述第一输出电流控制单元和第二输出电流控制单元均与复位单元、基准单元连接,所述第一输出电流控制单元还与第一充电单元连接,所述第二输出电流控制单元还与第二充电单元连接,所述第一输出电流控制单元和第二输出电流控制单元互联。
5.根据权利要求4所述的双充集成电路,其特征在于,所述温控单元包括第一非门、第二非门、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管、第一三极管、第二三极管;
所述第一非门的输入端连接第一使能信号,所述第一非门的输出端与第二非门的输入端连接;所述第二非门的输出端与所述第一MOS管的栅极连接,所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第十三MOS管和第十四MOS管的源极以及第七MOS管、第八MOS管的衬底连接并接地,所述第一MOS管的漏极接第一偏置电流、并与所述第二MOS管的漏极和栅极、第三MOS管的栅极、第四MOS管的栅极、第五MOS管的栅极及第六MOS管的栅极连接,所述第三MOS管的漏极与所述第一三极管的基极、第二三极管的发射极连接,所述第四MOS管的漏极与所述第八MOS管的栅极及第一三极管的发射极连接,所述第五MOS管的漏极与源极互联,所述第六MOS管的漏极与所述第八MOS管的源极及第七MOS管的源极连接,所述第七MOS管的漏极与所述第九MOS管的漏极和栅极、第十二MOS管的栅极连接,所述第七MOS管的栅极接第二基准电压,所述第九MOS管的源极与所述第一三极管的集电极、第二三极管的基极和集电极、第十MOS管的源极、第十一MOS管的源极、第十二MOS管的源极连接,所述第八MOS管的漏极与所述第十MOS管的漏极和栅极、第十一MOS管的栅极连接,所述第十一MOS管的漏极与第十三MOS管的漏极和栅极、第十四MOS管的栅极连接,所述第十二MOS管的漏极与所述第十四MOS管的漏极连接并输出至第一充电单元和第二充电单元。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市励创微电子有限公司,未经深圳市励创微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921953173.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种蜂蜜除泡灌装装置
- 下一篇:一种汽车前挡风玻璃底涂刷胶的工装结构