[实用新型]浅沟槽隔离结构和掩膜结构

权利要求书

1.一种用于形成浅沟槽隔离结构的掩膜结构，其特征在于，包括：

所述掩膜结构位于衬底上，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述掩膜结构包括覆盖所述衬底的硬掩膜层和位于所述硬掩膜层表面的图形化掩膜层；

所述硬掩膜层包括覆盖所述第一区域的第一区域硬掩膜层和覆盖所述第二区域的第二区域硬掩膜层，在各向异性刻蚀工艺下，所述第一区域硬掩膜层的刻蚀速率大于对所述第二区域硬掩膜层的刻蚀速率；

所述图形化掩膜层内形成有位于所述第一区域上的第一图形和位于所述第二区域上的第二图形，所述第一图形的密度大于所述第二图形的密度。

2.根据权利要求1所述的掩膜结构，其特征在于，所述第一图形的关键尺寸小于所述第二图形的关键尺寸。

3.根据权利要求1所述的掩膜结构，其特征在于，所述第一区域硬掩膜层与所述第二区域硬掩膜层分别采用不同的材料。

4.根据权利要求1所述的掩膜结构，其特征在于，所述硬掩膜层包括：覆盖所述第一区域和所述第二区域的第一硬掩膜材料层，位于所述第一区域上的第一硬掩膜材料层的表面低于位于所述第二区域上的第一硬掩膜材料层的表面；位于所述第一区域上的第一硬掩膜材料层表面的第二硬掩膜材料层，所述第二硬掩膜材料层的表面与所述第一硬掩膜材料层的表面齐平。

5.根据权利要求4所述的掩膜结构，其特征在于，所述第二硬掩膜材料层的厚度为100nm～200nm。

6.根据权利要求4所述的掩膜结构，其特征在于，所述第一硬掩膜材料层包括氮化硅层、氮氧化硅层、无定形碳层、碳氧化硅层、氧化硅层中的至少一层；所述第二硬掩膜材料层包括氮化硅层、氮氧化硅层、无定形碳层、碳氧化硅层、氧化硅层中的至少一层；所述第一硬掩膜材料层和所述第二硬掩膜材料层采用不同的材料层。

7.根据权利要求1所述的掩膜结构，其特征在于，还包括：位于所述衬底表面和所述硬掩膜层之间的垫氧化层。

8.根据权利要求7所述的掩膜结构，其特征在于，所述垫氧化层的厚度为

9.一种浅沟槽隔离结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；

位于所述第一区域内的第一沟槽，和位于所述第二区域内的第二沟槽，所述第一沟槽的密度大于所述第二沟槽的密度，且所述第一沟槽和所述第二沟槽的深度相同；

填充于所述第一沟槽和所述第二沟槽内的介电层。

10.根据权利要求9所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述第一沟槽的关键尺寸小于所述第二沟槽的关键尺寸。