[实用新型]一种高阻隔VMPET薄膜

说明书

本实用新型公开了一种高阻隔VMPET薄膜，所述VMPET薄膜包括PET基膜和涂覆于所述PET基膜上的镀铝层，所述PET基膜包括由上至下依次设置的电晕处理层、芯层和共混改性层。本实用新型应用PEN共混改性后的PET基膜，提高了基膜本身的阻隔性，使其阻隔性的提高不受镀铝层性能的影响。

技术领域

本实用新型涉及薄膜加工技术领域，具体涉及一种高阻隔VMPET薄膜。

背景技术

高阻隔VMPET镀铝膜属于新材料应用领域，是一种具有高阻隔性能的包装材料，被广泛应用于食品、饮料、医药、化妆品等的复合包装上。它是PET基膜在真空条件下，应用镀铝工艺，在其表面设置一层铝层而形成的，具有良好的金属光泽，抗静电性和遮光性，尤其具有较好的阻气、阻湿性，其阻隔性比未镀铝前提高了几十倍甚至上百倍。

目前市场上通常用提高铝层厚度来提高阻隔性，但是在实际中发现，阻隔性并非和铝层厚度成正比，当铝层厚度增加时，铝层的致密性、铝层附着力会降低，铝层微气孔增加，导致阻隔性降低。而且其阻隔性会随着储存时间发生一定的衰减。

基于上述情况，本实用新型提出了一种新型一种高阻隔VMPET薄膜，可有效解决以上问题。

实用新型内容

针对现有技术的状况，为克服以上缺陷，本实用新型应用PEN共混改性后的PET基膜，提高了基膜本身的阻隔性，使其阻隔性的提高不受镀铝层性能的影响。

本实用新型通过下述技术方案实现：

一种高阻隔VMPET薄膜，所述VMPET薄膜包括PET基膜和涂覆于所述PET基膜上的镀铝层，所述PET基膜包括由上至下依次设置的电晕处理层、芯层和共混改性层。

根据上述技术方案，作为上述技术方案的进一步优选技术方案，所述电晕处理层和芯层均为PET聚酯切片。

根据上述技术方案，作为上述技术方案的进一步优选技术方案，所述共混改性层为PET聚酯切片和PEN组成。

根据上述技术方案，作为上述技术方案的进一步优选技术方案，所述镀铝层的厚度为450埃。

根据上述技术方案，作为上述技术方案的进一步优选技术方案，所述电晕处理层、芯层和共混改性层分别占PET基膜的厚度比例为：10％～20％、60％～80％和10％～20％。

本实用新型与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：

1、本实用新型从基膜本身提高镀铝膜的阻隔性，而不是从镀铝工艺出发，降低了镀铝层致密性等因素对提高阻隔性的影响，很大程度上解决了阻隔性随时间衰退的现象。

2、PEN分子结构中的萘环比PET中的苯环具有更大的共轭双键，与PET共混改性后，电晕面镀铝后得到的改性VMPET薄膜，比普通的VMPET薄膜具有更高的阻隔性。

3、可通过调整PEN的含量，以得到拥有不同程度阻隔性能的VMPET薄膜。

附图说明

图1为本实用新型的截面结构示意图。

附图标记：1-镀铝层，2-PET基膜，21-电晕处理层，22-芯层，23-共混改性层。

具体实施方式

为了使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合具体实施例对本实用新型的优选实施方案进行描述，但是应当理解，附图仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制；为了更好说明本实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对于本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。附图中描述位置关系仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制。