[实用新型]一种高可靠性的MIM电容器有效
| 申请号： | 201921960916.6 | 申请日： | 2019-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN210443583U | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 范捷;万立宏;王绍荣 | 申请（专利权）人： | 江苏丽隽功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 聂启新 |
| 地址： | 214067 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 可靠性 mim 电容器 | ||
【权利要求书】：
1.一种高可靠性的MIM电容器，其特征在于，所述MIM电容器包括：衬底、生长在所述衬底上的绝缘层以及淀积在所述绝缘层上的金属层；
所述金属层表面设有互相连通的若干个沟槽，所述沟槽将所述金属层的表面分隔为若干个独立的岛状结构，所述沟槽的深度小于所述金属层的厚度，所述沟槽内淀积有氧化硅；
所述金属层上淀积有电容下电极，所述电容下电极在所述沟槽的正上方刻蚀有开口槽，所述开口槽的宽度小于所述沟槽的宽度，所述开口槽中也填充有氧化硅；所述电容下电极的表面在所述开口槽处也覆盖有氧化硅且所述电容下电极的表面的氧化硅形成间隔结构；
所述电容下电极上设有介质层，所述介质层覆盖所述电容下电极表面的氧化硅以及所述电容下电极的外露部分；所述介质层上设有电容上电极。
2.根据权利要求1所述的MIM电容器，其特征在于，所述金属层的厚度在2-3um之间，所述沟槽的深度在3000-5000埃之间。
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