[实用新型]一种n型局部高低结背表面场双面太阳电池

权利要求书

1.一种n型局部高低结背表面场双面太阳电池，包括n型硅衬底(4)，n型硅衬底(4)底部从上到下设置有氧化硅钝化层(6)、本征非晶硅层(7)和背面氮化硅减反层(8)，其特征在于，n型硅衬底(4)底部嵌设有若干条磷源掺杂层(5)，磷源掺杂层(5)底部连接有同时贯穿氧化硅钝化层(6)、本征非晶硅层(7)和背面氮化硅减反层(8)的背面金属电极层(9)。

2.根据权利要求1所述的一种n型局部高低结背表面场双面太阳电池，其特征在于，n型硅衬底(4)顶部从下到上依次设置有硼源掺杂层(3)和正面氮化硅减反层(2)，硼源掺杂层(3)上表面设置有若干与磷源掺杂层(5)位置一一对应的正面金属电极层(1)，正面金属电极层(1)均贯穿正面氮化硅减反层(2)。

3.根据权利要求2所述的一种n型局部高低结背表面场双面太阳电池，其特征在于，正面金属电极层(1)和背面金属电极层(9)均为Ag或Ag合金或Cu或Cu与Mo、W、Ti、Ni、Al、Mg、Ta、Sn至少之一所形成的合金。

4.根据权利要求2所述的一种n型局部高低结背表面场双面太阳电池，其特征在于，n型硅衬底(4)厚度为100-160um，硼源掺杂层(3)厚度为300-500nm，正面氮化硅减反层(2)厚度为80-100nm，氧化硅钝化层(6)厚度为1-10nm，本征非晶硅层(7)厚度为2-10nm，背面氮化硅减反层(8)厚度为100-150nm，磷源掺杂层(5)的厚度为300-500nm。

5.根据权利要求2至4中任一权利要求所述的一种n型局部高低结背表面场双面太阳电池，其特征在于，背面金属电极层(9)和正面金属电极层(1)的电极栅线宽度均为40-80um，其高度均为25-50um。