[实用新型]一种量子点LED器件有效
申请号: | 201921966933.0 | 申请日: | 2019-11-14 |
公开(公告)号: | CN211062737U | 公开(公告)日: | 2020-07-21 |
发明(设计)人: | 章金惠;张运原;袁毅凯;李进;高晓宇;覃玉璋 | 申请(专利权)人: | 佛山市国星光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/54;H01L33/60;H01L33/50 |
代理公司: | 佛山市广盈专利商标事务所(普通合伙) 44339 | 代理人: | 李俊 |
地址: | 528051 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 量子 led 器件 | ||
本实用新型提供了一种量子点LED器件,所述量子点LED器件包括支架、芯片、均光层和量子点层;所述支架具有反射杯,所述芯片设置在所述反射杯内;所述均光层设置在所述反射杯内,所述均光层侧面与所述反射杯的至少部分内壁接触,所述均光层顶面高于所述芯片顶面;所述量子点层覆盖设置在所述均光层的至少部分表面上。该量子点LED器件通过在芯片与量子点层间增设均光层,可提高量子点LED器件可靠性和发光效率,具有良好的实用性。
技术领域
本实用新型涉及发光器件领域,具体涉及到一种量子点LED器件。
背景技术
On-Chip型量子点LED器件直接将量子点材料封装于器件支架中,利用量子点材料直接对芯片发出的光线进行处理,该结构用料最少并且系统集成最容易,是一种非常理想的封装形式。
具体实施中发现,量子点材料在高光密度蓝光或高光密度紫外光的照射下会发生猝灭,可靠性较差;如果通过降低芯片功率来避免量子点材料的猝灭,则由于发光强度的不足,容易造成量子点材料的激发不充分;此外,由于芯片的发光方式近似于点发光,远离芯片一侧的量子点材料的不容易被激发,器件的发光效率较低。
实用新型内容
为了克服现有On-Chip型量子点LED器件的缺陷,本实用新型提供了一种量子点LED器件,通过在芯片与量子点层间增设均光层,可提高量子点LED器件可靠性和发光效率,具有良好的实用性。
可选的,本实用新型提供了一种量子点LED器件,所述量子点LED器件包括支架、芯片、均光层和量子点层;
所述支架具有反射杯,所述芯片设置在所述反射杯内;
所述均光层设置在所述反射杯内,所述均光层侧面与所述反射杯的至少部分内壁接触,所述均光层顶面高于所述芯片顶面;
所述量子点层覆盖在所述均光层的至少部分表面上。
可选的实施方式,所述量子点LED器件还包括阻隔层,所述阻隔层包括设置在所述反射杯内部底面上的第一阻隔子层,和/或设置在所述量子点层顶面上的第二阻隔子层。
可选的实施方式,在所述阻隔层包括所述第一阻隔子层时,所述第一阻隔子层顶面低于所述芯片顶面,所述均光层底面覆盖所述芯片的顶面、所述芯片的部分侧表面和所述第一阻隔子层顶面。
可选的实施方式,在所述阻隔层包括所述第一阻隔子层时,所述第一阻隔子层顶面与所述芯片顶面相平;
所述均光层覆盖所述芯片顶面和所述第一阻隔子层顶面。
可选的实施方式,在所述阻隔层包括所述第一阻隔子层时,所述第一阻隔子层覆盖所述芯片表面,所述均光层覆盖所述第一阻隔子层顶面。
可选的实施方式,所述均光层与所述量子点层的接触面为粗糙面。
可选的实施方式,所述均光层边缘沿所述反射杯的内壁朝所述反射杯的杯口方向延伸,所述均光层的顶面向所述均光层的底面凹陷形成均光杯,所述均光杯呈杯状结构。
可选的实施方式,所述芯片为蓝光芯片或紫外光芯片。
可选的实施方式,所述量子点层包括激发颜色不同的第一量子点子层和第二量子点子层;
所述第二量子点子层设置在所述第一量子点子层上方。
可选的实施方式,所述第一量子点子层为绿色量子点层,所述第二量子点子层为红色量子点层;
或所述量子点层为红绿色量子点混合层。
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