[实用新型]一种防过电流和短路的LED调光保护电路有效
申请号: | 201921967461.0 | 申请日: | 2019-11-14 |
公开(公告)号: | CN211352502U | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 郑德华;陈耿圳 | 申请(专利权)人: | 珠海市圣昌电子有限公司 |
主分类号: | H05B45/10 | 分类号: | H05B45/10;H05B45/50 |
代理公司: | 广州市红荔专利代理有限公司 44214 | 代理人: | 王贤义 |
地址: | 519000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电流 短路 led 调光 保护 电路 | ||
1.一种防过电流和短路的LED调光保护电路,其特征在于:它包括电源供电电路、驱动电路、过流短路保护电路,所述驱动电路和所述过流短路保护电路相连接并分别与所述电源供电电路相应的输出端相连接,所述电源供电电路包括市电输入火线端子(L)、市电输入零线端子(N)、电源主电路、电阻Ⅰ(R6)、NMOS管(Q1)、发光二极管(LED1),所述电源主电路包括电源供电端子Ⅰ(V+)、电路公共地端子(GND)、电源供电端子Ⅱ(VCC)、电源供电端子Ⅲ(VDD),所述市电输入火线端子(L)和所述市电输入零线端子(N)连接所述电源主电路输入两端,所述发光二极管正极端连接所述电源供电端子Ⅰ(V+),所述发光二极管负极端连接所述NMOS管(Q1)的漏极,所述NMOS管(Q1)的栅极连接所述驱动电路和所述过流短路保护电路,所述NMOS管(Q1)的源极连接所述过流短路保护电路和所述电阻Ⅰ(R6)的一端,所述电阻Ⅰ(R6)的另一端连接所述电路公共地端子(GND)。
2.根据权利要求1所述的防过电流和短路的LED调光保护电路,其特征在于:所述过流短路保护电路包括电阻Ⅱ(R7)、电阻Ⅲ(R8)、电阻Ⅳ(R9)、电阻Ⅴ(R10)、电阻Ⅵ(R11)、电阻Ⅶ(R12)、电阻Ⅷ(R13)、电阻Ⅸ(R14)、电阻Ⅹ(R15)、电阻Ⅺ(R16)、电阻Ⅻ(R17)、电阻ⅩⅢ(R18)、电阻XIV (R19)、电容Ⅰ(C2)、电容Ⅱ(C3)、电容Ⅲ(C4)、电容Ⅳ(C5)、电容Ⅴ(C6)、二极管Ⅰ(D1)、二极管Ⅱ(D2)、二极管Ⅲ(D3)、稳压二极管Ⅰ(Z1)、稳压二极管Ⅱ(Z2)、NPN三极管Ⅰ(Q2)、NPN三极管Ⅱ(Q3)、NPN三极管Ⅲ(Q5)、NPN三极管Ⅳ(Q6)、PNP三极管Ⅰ(Q4)、比较放大集成芯片Ⅰ(U2)、比较放大集成芯片Ⅱ(U3),所述NPN三极管Ⅰ(Q2)的集电极连接所述NMOS管(Q1)的栅极和所述驱动电路,所述NPN三极管Ⅰ(Q2)的基极连接所述电源供电电路和所述电阻Ⅱ(R7)的一端,所述NPN三极管Ⅰ(Q2)的发射极连接所述电路公共地端子(GND),所述电阻Ⅱ(R7)的另一端连接所述电容Ⅰ(C2)的一端、所述电阻Ⅲ(R8)的一端和所述比较放大集成芯片Ⅰ(U2)的第5脚,所述电容Ⅰ(C2)的另一端和所述电阻Ⅲ(R8)的另一端连接所述电路公共地端子(GND),所述比较放大集成芯片Ⅰ(U2)的第6脚连接所述电阻Ⅳ(R9)的一端、所述电阻Ⅴ(R10)的一端和所述电容Ⅱ(C3)的一端,所述电阻Ⅳ(R9)的另一端连接所述电路公共地端子(GND),所述比较放大集成芯片Ⅰ(U2)的第7脚分别连接所述电阻Ⅴ(R10)的另一端、所述电容Ⅱ(C3)的另一端、所述电容Ⅲ(C4)的一端和所述电阻Ⅵ(R11)的一端,所述比较放大集成芯片Ⅰ(U2)的第8脚连接所述电源供电端子Ⅱ(VCC),所述比较放大集成芯片Ⅰ(U2)的第4脚连接所述电路公共地端子(GND),所述NPN三极管Ⅱ(Q3)的基极分别连接所述电阻Ⅵ(R11)的另一端、所述电容Ⅲ(C4)的另一端、所述电容Ⅳ(C5)的一端和所述电阻Ⅶ(R12)的一端,所述NPN三极管Ⅱ(Q3)的发射极、所述电容Ⅳ(C5)的另一端和所述电阻Ⅶ(R12)的另一端连接所述电路公共地端子(GND),所述NPN三极管Ⅱ(Q3)的集电极连接所述电阻Ⅺ(R16)的一端、所述电阻Ⅷ(R13)的一端和所述比较放大集成芯片Ⅱ(U3)的第3脚,所述比较放大集成芯片Ⅱ(U3)的第2脚连接所述电阻Ⅸ(R14)的一端、所述电阻
Ⅹ(R15)的一端和所述NPN三极管Ⅳ(Q6)的集电极,所述电阻Ⅸ(R14)的另一端、所述电阻Ⅷ(R13)的另一端和所述比较放大集成芯片Ⅱ(U3)的第8脚连接所述电源供电端子Ⅱ(VCC),所述电阻Ⅹ(R15)的另一端和所述比较放大集成芯片Ⅱ(U3)的第4脚连接所述电路公共地端子(GND),所述比较放大集成芯片Ⅱ(U3)的第1脚连接所述二极管Ⅰ(D1)的负极端、所述二极管Ⅱ(D2)的负极端、所述稳压二极管Ⅰ(Z1)的负极端和所述电阻Ⅺ(R16)的另一端,所述二极管Ⅰ(D1)的正极端连接所述驱动电路和所述NMOS管(Q1)的栅极,所述稳压二极管Ⅰ(Z1)的正极端连接所述电阻Ⅻ(R17)的一端,所述电阻Ⅻ(R17)的另一端连接所述NPN三极管Ⅲ(Q5)的基极,所述NPN三极管Ⅲ(Q5)的发射极连接所述电路公共地端子(GND),所述NPN三极管Ⅲ(Q5)的集电极连接所述电阻XIV (R19)的一端、所述二极管Ⅲ(D3)的正极端和所述电容Ⅴ(C6)的一端,所述二极管Ⅱ(D2)的正极端连接所述电阻ⅩⅢ(R18)的一端,所述电阻ⅩⅢ(R18)的另一端连接所述PNP三极管Ⅰ(Q4)的基极,所述PNP三极管Ⅰ(Q4)的发射极连接所述电源供电端子Ⅲ(VDD),所述PNP三极管Ⅰ(Q4)的集电极连接所述电阻XIV (R19)的另一端,所述电容Ⅴ(C6)的另一端连接所述电路公共地端子(GND),所述二极管Ⅲ(D3)的负极端连接所述稳压二极管Ⅱ(Z2)的负极端,所述稳压二极管Ⅱ(Z2)的正极端连接所述NPN三极管Ⅳ(Q6)的基极,所述NPN三极管Ⅳ(Q6)的发射极连接所述电路公共地端子(GND)。
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