[实用新型]一种基于三NMOS管并联的大功率浪涌电压抑制模块有效

专利信息
申请号: 201921967609.0 申请日: 2019-11-14
公开(公告)号: CN211063335U 公开(公告)日: 2020-07-21
发明(设计)人: 周成龙;张梓超;陈晓薇;薛峰;郭艳辉;刘强;赵少琼;赵炜铭;李子森;苏醒;党丽 申请(专利权)人: 中国兵器工业新技术推广研究所;北京中北创新科技发展有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04
代理公司: 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 代理人: 王雪芬
地址: 100089 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 nmos 并联 大功率 浪涌 电压 抑制 模块
【权利要求书】:

1.一种基于三NMOS管并联的大功率浪涌电压抑制模块,其特征在于,包括瞬态抑制二极管D1、稳压二极管D2、过压保护控制芯片U1、电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7,场效应管Q1、Q2、Q3,电容C1、C2、C3,其中R5为限流电阻;C3为定时电容;稳压二极管D2和限流电阻R5构成稳压电路;

D1正极与D2正极连接;D1负极与R5一端,Q1、Q2、Q3的漏极连接;Q1、Q2、Q3的源极连接在一起并连接U1、R6一端、C2的正极;Q1的栅极通过R1连接R4一端,Q2的栅极通过R2连接R4一端,Q3的栅极通过R3连接R4一端;R4另一端连接C1一端以及U1;D2的负极连接U1;R6另一端连接R7一端以及U1,R7另一端连接C2的负极;C3的两端与U1连接。

2.如权利要求1所述的大功率浪涌电压抑制模块,其特征在于,U1为LT4363型过压保护控制芯片。

3.如权利要求1所述的大功率浪涌电压抑制模块,其特征在于,D1用于抑制电源输入端的尖峰电压。

4.如权利要求1所述的大功率浪涌电压抑制模块,其特征在于,稳压二极管D2和限流电阻R5构成的稳压电路用于为U1提供电源。

5.如权利要求1所述的大功率浪涌电压抑制模块,其特征在于,电阻R6和电阻R7构成的电压采样电路用于将输出端电压反馈至U1。

6.如权利要求1所述的大功率浪涌电压抑制模块,其特征在于,定时电容C3用于确定稳压的时间。

7.如权利要求1所述的大功率浪涌电压抑制模块,其特征在于,Q1、Q2、Q3均为NMOS场效应管。

8.如权利要求1所述的大功率浪涌电压抑制模块,其特征在于,Q1、Q2、Q3均为NMOS场效应管FQA140N10。

9.如权利要求1所述的大功率浪涌电压抑制模块,其特征在于,电阻R1、R2、R3用于消除三个NOMS场效应管Q1、Q2、Q3的器件参数差异。

10.如权利要求1至9中任一项所述的大功率浪涌电压抑制模块,其特征在于,电阻R4和电容C1用于平滑浪涌电压产生和结束瞬间的场效应管栅极电压。

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