[实用新型]电压调节电路有效

专利信息
申请号: 201921970924.9 申请日: 2019-11-15
公开(公告)号: CN210804143U 公开(公告)日: 2020-06-19
发明(设计)人: 丁泽宇 申请(专利权)人: 丁泽宇
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 南京北辰联和知识产权代理有限公司 32350 代理人: 卫麟
地址: 210046 江苏省南京市栖*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 电压 调节 电路
【权利要求书】:

1.一种电压调节电路,其特征在于,包括:

分压参考电路,其连接电气柜的输入电压,所述分压参考电路包括低压输出端(VL)以及N个参考电压输出端,N≥1;

放大器,包括有N个,N≥1,各所述放大器的第一输入端分别连接第一电平(Vrf),各所述放大器的第二输入端分别连接各参考电压输出端;

晶体管,包括有N个,N≥1,各所述晶体管的控制端分别连接各所述放大器的输出端,各所述晶体管按照其所连接的放大器的输出端的电压由高至底顺序串联连接;

低压输出电阻(R3),其一端连接所述低压输出端(VL);

电压调节单元电路,其包括有N个,N≥1,每一个所述电压调节单元电路均分别包括有低压输入端和高压输入端,各所述电压调节单元电路的低压输入端均连接至所述低压输出电阻(R3)的另一端,各所述电压调节单元电路的高压输入端分别连接至各所述晶体管的驱动输出端,各所述电压调节单元电路的输出端之间分别串联连接有负载电阻(RL),各所述负载电阻(RL)还分别连接所述电压调节电路的各电压输出端。

2.如权利要求1所述的电压调节电路,其特征在于,所述晶体管为P沟道MOS晶体管,输出端电压最高的放大器所连接的P沟道MOS晶体管的源极连接第二电平(EP1),其中,所述第二电平(EP1)不超过各所述放大器输出的最高电压,各所述P沟道MOS晶体管的漏极为其驱动输出端。

3.如权利要求1所述的电压调节电路,其特征在于,每一个所述电压调节单元电路均分别独立的设置有:

第一放大管(Q1),其基极或门极连接所述电压调节单元电路的低压输入端,其发射极接地,其集电极串联第一电阻(R1),所述第一电阻(R1)连接至所述电压调节单元电路的高压输入端;

第二放大管(Q2),其基极或门极连接所述第一放大管(Q1)的集电极,其发射极接地;

电位器(R2),其一端与所述第二放大管(Q2)的集电极连接,其另一端连接所述电压调节单元电路的输出端。

4.如权利要求3所述的电压调节电路,其特征在于,所述第一放大管(Q1)或第二放大管(Q2)均为NPN三极管。

5.如权利要求3所述的电压调节电路,其特征在于,所述第一放大管(Q1)或第二放大管(Q2)均为IGBT晶体管。

6.如权利要求4所述的电压调节电路,其特征在于,所述第一放大管(Q1)的集电极和第二放大管(Q2)的基极之间还连接有发光元件。

7.如权利要求5所述的电压调节电路,其特征在于,所述第一放大管(Q1)的集电极和第二放大管(Q2)的门极之间还连接有发光元件。

8.如权利要求6或7所述的电压调节电路,其特征在于,所述发光元件为发光二极管(D1),所述发光二极管(D1)的正极连接所述第一放大管(Q1)的集电极,所述发光二极管(D1)的负极连接所述第二放大管(Q2)的基极或门极。

9.如权利要求3所述的电压调节电路,其特征在于,所述电位器(R2)的型号为WX3。

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