[实用新型]薄膜太阳能电池有效
申请号: | 201921975296.3 | 申请日: | 2019-11-15 |
公开(公告)号: | CN211150572U | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 刘康志;周凯茹;康镇玺;吴哲耀;唐安迪;王维廉 | 申请(专利权)人: | 凌巨科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/046 | 分类号: | H01L31/046;H01L31/0465 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 薛恒;王琳 |
地址: | 中国台湾苗栗县*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 | ||
1.一种薄膜太阳能电池,其特征在于,包括:
透明基板,包括中央区域以及环绕所述中央区域的外围区域;
太阳能电池单元,设置于所述中央区域,包括:
前电极层,设置于所述透明基板上;
光电转换层,位于所述中央区域且设置于所述前电极层上;以及
背电极层,设置于所述光电转换层上;
复数层绝缘层,覆盖所述背电极层且暴露部分的所述前电极层,其中所述复数层绝缘层至少包括依序层迭的第一绝缘层以及第二绝缘层;以及
导电层,设置于所述复数层绝缘层上且与所述前电极层电性连接。
2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,所述复数层绝缘层覆盖所述背电极层的顶表面以及所述背电极层与所述光电转换层的侧表面。
3.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,所述第一绝缘层覆盖所述背电极层的顶表面以及所述背电极层与所述光电转换层的侧表面,且所述第二绝缘层覆盖所述背电极层的顶表面。
4.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,所述第一绝缘层覆盖所述背电极层的顶表面,且所述第二绝缘层覆盖所述背电极层的顶表面以及所述背电极层与所述光电转换层的侧表面。
5.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,所述第一绝缘层的厚度为0.2微米~0.6微米。
6.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,所述第二绝缘层的厚度为2微米~4微米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的