[实用新型]内存单元及NAND型内存

权利要求书

1.一种内存单元，其中包含：

主动组件；

两个电极，耦接于该主动组件，且该两个电极与该主动组件位于同一层；

两个加热单元，且该两个加热单元分别耦接于该两个电极；以及

相变化单元，耦接于该两个加热单元，该相变化单元形成于该主动组件上方，且该相变化单元与该主动组件并联。

2.如权利要求1所述的内存单元，其中该两个电极分别耦接于该主动组件的源极与漏极，该两个电极与该主动组件的栅极位于同一层，且该相变化单元形成于该主动组件的栅极上方。

3.如权利要求1所述的内存单元，其中该相变化单元耦接于该两个加热单元各自的侧面。

4.如权利要求3所述的内存单元，还包含两个热绝缘单元，该两个热绝缘单元分别形成于该两个加热单元上方，且该相变化单元接触该两个热绝缘单元各自的侧面。

5.如权利要求4所述的内存单元，其中该相变化单元具有上宽下窄的形状。

6.一种NAND型内存，其中包含多个如权利要求1所述的内存单元串联连接。