[实用新型]封装结构

说明书

本实用新型实施例公开了一种封装结构及其制造方法，包括：第一电气连接层，所述封装结构的外引脚位于所述第一电气连接层的下表面；芯片，位于所述第一电气连接层的上表面上，所述第一电气连接层上表面与下表面相对；第一类电子元件，位于所述芯片的上方；金属柱，位于所述第一类电子元件与所述第一电气连接层之间，所述第一类电子元件通过所述金属柱与所述第一电气连接层实现电连接，以增加所述封装结构的散热。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，更具体地，涉及一种封装结构。

背景技术

在IC封装模块电源中，通常在一个金属框架上直接贴装电感器件，为了减小模块电源封装的体积，逐渐开始用集成度高的封装结构来替代分立的封装结构。例如，如图1所示，经常采用特殊长出腿的定制电感101，并将IC芯片103置于电感下方。这样做能够减小整个封装的尺寸面积。但是，电感本身的出腿102很长，又很细，导致直流电阻很大，且电感工作时产生的损耗发热很不容易散掉。IC芯片需要先进行一次封装以后，再和电感等其他器件一起封装，且由于IC封装和电感贴装时均需要占据引线框架的面积，使得可集成的器件的空间会比较小，电路走线相当于单层PCB，灵活性较差。

实用新型内容

有鉴于此,本实用新型提供了一种封装结构及其制造方法，以增加所述封装结构的散热，提高器件的集成度。

根据本实用新型的第一方面，提供一种封装结构，包括：第一电气连接层，所述封装结构的外引脚位于所述第一电气连接层的下表面；芯片，位于所述第一电气连接层的上表面上，所述第一电气连接层上表面与下表面相对；第一类电子元件，位于所述芯片的上方；金属柱，位于所述第一类电子元件与所述第一电气连接层之间，所述第一类电子元件通过所述金属柱与所述第一电气连接层实现电连接，以增加所述封装结构的散热。

优选地，所述封装结构还包括设置在第一电气连接层与所述第一类电子元件之间的第二类电子元件。

优选地，所述金属柱作为所述第一类电子元件的引脚电极，以降低所述第一类电子元件电气路径上的直流阻抗。

优选地，所述金属柱位于所述第一类电子元件的散热通路上，以降低所述第一类电子元件至所述封装结构外引脚的热阻。

优选地，所述金属柱是实心的。

优选地，所述金属柱的高度不小于0.3mm。

优选地，所述金属柱与所述第一类电子元件的焊盘接触，以作为所述第一类电子元件的引脚电极。

优选地，所述芯片配置为已封装好IC芯片。

优选地，所述芯片配置为裸芯片，所述芯片的有源面朝向所述第一电气连接层，所述芯片的背面不包括电极。

优选地，所述封装结构还包括位于所述芯片上方的第二电气连接层，其中，所述第一类电子元件位于在所述第二电气连接层上。

优选地，所述金属柱焊接在所述第一电气连接层与第二电气连接层之间，所述第一类电子元件的焊盘通过第二电气连接层与所述金属柱连接。

优选地，所述芯片的背面通过黏结胶粘贴在所述第一电气连接层上，所述芯片的有源面朝向所述第二电气连接层。

优选地，所述封装结构还包括位于所述第一电气连接层与所述第二电气连接层之间的空心柱，所述芯片有源面的焊盘通过所述空心柱与所述第一电气连接层实现电连接。

优选地，所述第一类电子元件的其中一个焊盘通过第二电气连接层与所述芯片有源面的焊盘实现电连接。

优选地，所述芯片的有源面朝向所述第一电气连接层，所述芯片的背面包括电极。

优选地，所述芯片背面的电极通过所述空心柱与所述第一电气连接层实现电连接。