[实用新型]一种铁电增强的范德华异质结偏振探测器有效

专利信息
申请号: 201921985764.5 申请日: 2019-11-18
公开(公告)号: CN211208468U 公开(公告)日: 2020-08-07
发明(设计)人: 王建禄;陈艳;王旭东;胡伟达;沈宏;林铁;孟祥建;褚君浩 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: H01L31/113 分类号: H01L31/113;H01L31/0224;H01L31/0336;H01L31/18;G01J4/00
代理公司: 上海沪慧律师事务所 31311 代理人: 郭英
地址: 200083 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 增强 范德华异质结 偏振 探测器
【权利要求书】:

1.一种铁电增强的范德华异质结偏振探测器,其特征在于,

所述探测器结构自下而上依次为:绝缘衬底(1),第一层二维半导体(2),第二层二维半导体(3),金属源极(4)覆盖部分第二层二维半导体(3)并延展至绝缘衬底(1)的氧化硅层上,金属漏极(5)覆盖部分第一层二维半导体(2)并延展至绝缘衬底(1)的氧化硅层上,铁电功能层(6)覆盖在第一层二维半导体(2)和第二层二维半导体(3)上,金属栅电极(7)覆盖在铁电功能层(6)上,其中:

所述的绝缘衬底(1)为具有SiO2层的重掺杂的Si衬底;

所述的第一层二维半导体(2)为过渡金属硫族化合物,厚度为5-15纳米;

所述的第二层二维半导体(3)为具有各向异性的二维半导体硒化亚锗GeSe,厚度为10-150纳米;

所述的金属源极(4)和金属漏极(5)为镍、铬、钛、钯、铂或金,厚度为20~100纳米;

所述的铁电功能层(6)为聚偏氟乙烯基铁电聚合物薄膜,厚度为100-300纳米;

所述的金属栅电极(7)为铝,厚度为9纳米。

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