[实用新型]一种铁电增强的范德华异质结偏振探测器有效
申请号: | 201921985764.5 | 申请日: | 2019-11-18 |
公开(公告)号: | CN211208468U | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 王建禄;陈艳;王旭东;胡伟达;沈宏;林铁;孟祥建;褚君浩 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/113 | 分类号: | H01L31/113;H01L31/0224;H01L31/0336;H01L31/18;G01J4/00 |
代理公司: | 上海沪慧律师事务所 31311 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 增强 范德华异质结 偏振 探测器 | ||
1.一种铁电增强的范德华异质结偏振探测器,其特征在于,
所述探测器结构自下而上依次为:绝缘衬底(1),第一层二维半导体(2),第二层二维半导体(3),金属源极(4)覆盖部分第二层二维半导体(3)并延展至绝缘衬底(1)的氧化硅层上,金属漏极(5)覆盖部分第一层二维半导体(2)并延展至绝缘衬底(1)的氧化硅层上,铁电功能层(6)覆盖在第一层二维半导体(2)和第二层二维半导体(3)上,金属栅电极(7)覆盖在铁电功能层(6)上,其中:
所述的绝缘衬底(1)为具有SiO2层的重掺杂的Si衬底;
所述的第一层二维半导体(2)为过渡金属硫族化合物,厚度为5-15纳米;
所述的第二层二维半导体(3)为具有各向异性的二维半导体硒化亚锗GeSe,厚度为10-150纳米;
所述的金属源极(4)和金属漏极(5)为镍、铬、钛、钯、铂或金,厚度为20~100纳米;
所述的铁电功能层(6)为聚偏氟乙烯基铁电聚合物薄膜,厚度为100-300纳米;
所述的金属栅电极(7)为铝,厚度为9纳米。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海技术物理研究所,未经中国科学院上海技术物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921985764.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种自磨机顽石旁路高压辊磨系统
- 下一篇:一种工装输送台
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的