[实用新型]一种可调控的室温黑砷磷太赫兹探测器

权利要求书

1.一种可调控的室温黑砷磷太赫兹探测器，包括衬底(1)、黑砷磷(2)、蝶形天线(3)、源极(4)、漏极(5)、介质层(6)和栅极(7)，其特征在于：

所述探测器的结构自下而上为：第一层是衬底(1)、第二层是黑砷磷(2)、以及搭在黑砷磷上的蝶形天线(3)和与天线相连接的源极(4)和漏极(5)、第三层是介质层(6)、第四层是栅极(7)；

所述的衬底(1)为带有二氧化硅的本征硅；

所述的黑砷磷(2)为多层黑砷磷，厚度20纳米到40纳米；

所述的蝶形天线(3)、源极(4)和漏极(5)均有两层金属层，下层金属为钛，上层金属为金；

所述的介质层(6)为氧化铪；

所述的栅极(7)有两层金属层，下层金属是钛，上层金属是金。