[实用新型]一种高亮度发光二极管有效
| 申请号： | 201921990667.5 | 申请日： | 2019-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN211088297U | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 夏金鑫;俞红;陈前锋;陈乐然;赵亮;张金旺;邱苏苏;汤大伟;乔莉沐;张强;周鑫明 | 申请（专利权）人： | 国网安徽省电力有限公司南陵县供电公司;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30;H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 朱圣荣 |
| 地址： | 241009 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 亮度 发光二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种高亮度发光二极管，发光二极管包括半导体衬底和发光区域，所述半导体衬底为砷化镓材质，其特征在于：所述发光区域依次由重掺杂GaAs接触层、AlGaInP上覆层、AlGaInP活性层、AlGaInP下覆层、AlAs蚀刻停止层和GaAs缓冲层构成，所述GaAs缓冲层接触半导体衬底；
所述发光区域具有p/i/n结构和/或n/i/p结构，所述AlAs蚀刻停止层用作蚀刻停止层。
2.根据权利要求1所述的高亮度发光二极管，其特征在于：所述重掺杂GaAs接触层的厚度为0.1-0.3 mm，所述AlGaInP上覆层的厚度为0.2-1mm，所述AlGaInP活性层的厚度为0.2-1mm，所述AlGaInP下覆层的厚度为0.2-1mm，所述AlAs蚀刻停止层的厚度为0.1 mm，所述GaAs缓冲层的厚度为0.1 mm。
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