[实用新型]影像传感芯片的封装结构有效
申请号: | 201921993340.3 | 申请日: | 2019-11-18 |
公开(公告)号: | CN210805774U | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 王凯厚;杨剑宏;朱程亮;吴明轩 | 申请(专利权)人: | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 影像 传感 芯片 封装 结构 | ||
1.一种影像传感芯片的封装结构,其特征在于,包括:
基底,所述基底包括透光区以及围绕所述透光区的非透光区,所述非透光区设置有布线线路;所述基底包括滤光层,所述滤光层位于所述基底上的所述透光区和所述非透光区;
倒装设置于所述基底上远离所述滤光层的一侧的影像传感器芯片,所述影像传感器芯片包括感应区,所述感应区朝向所述基底的一侧设置,所述感应区与所述透光区对应。
2.根据权利要求1所述的影像传感芯片的封装结构,其特征在于,所述基底还包括透光基板,所述滤光层设置于所述透光基板的表面,所述基底靠近所述影像传感器芯片一侧设置有所述布线线路。
3.根据权利要求2所述的影像传感芯片的封装结构,其特征在于,所述滤光层包括第一滤光层和第二滤光层,所述第一滤光层和所述第二滤光层分别设置于透光基板的正面和背面。
4.根据权利要求3所述的影像传感芯片的封装结构,其特征在于,所述布线线路设置于所述第二滤光层靠近所述影像传感器芯片的一侧。
5.根据权利要求1所述的影像传感芯片的封装结构,其特征在于,所述滤光层的厚度范围为100um-150um。
6.根据权利要求1所述的影像传感芯片的封装结构,其特征在于,还包括凸块,所述凸块的一端与所述影像传感器芯片电连接,所述凸块的另一端与所述布线线路电连接。
7.根据权利要求2所述的影像传感芯片的封装结构,其特征在于,还包括位于所述非透光区的焊垫,所述焊垫与所述布线线路电连接,所述焊垫远离所述透光基板的一面距离所述透光基板的垂直距离小于所述芯片远离所述透光基板的一面距离所述透光基板的垂直距离。
8.根据权利要求7所述的影像传感芯片的封装结构,其特征在于,所述焊垫用于通过导电胶与外部电路电连接。
9.根据权利要求7所述的影像传感芯片的封装结构,其特征在于,所述基底还包括覆盖所述布线线路的绝缘层;
所述绝缘层暴露出所述布线线路的一部分构成所述焊垫。
10.根据权利要求9所述的影像传感芯片的封装结构,其特征在于,所述焊垫包括第一焊垫和第二焊垫;所述第一焊垫位于所述第二焊垫远离所述透光区的一侧;
所述第一焊垫和所述第二焊垫之间设置有所述绝缘层。
11.根据权利要求10所述的影像传感芯片的封装结构,其特征在于,所述第一焊垫与所述第二焊垫电连接。
12.根据权利要求10或11所述的影像传感芯片的封装结构,其特征在于,所述第一焊垫远离所述第二焊垫的侧面裸露。
13.根据权利要求9所述的影像传感芯片的封装结构,其特征在于,所述布线线路靠近所述透光区的一侧设置有所述绝缘层。
14.根据权利要求7所述的影像传感芯片的封装结构,其特征在于,所述焊垫设置于所述芯片的周边区域的一侧或者两侧。
15.根据权利要求7所述的影像传感芯片的封装结构,其特征在于,所述封装结构的厚度小于或等于300um。
16.根据权利要求1所述的影像传感芯片的封装结构,其特征在于,所述影像传感器芯片的周缘设置有密封胶,所述密封胶将所述影像传感器芯片与所述基底之间密封。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的