[实用新型]一种新型高精度单晶硅压力变送器有效

专利信息
申请号: 201921997309.7 申请日: 2019-11-19
公开(公告)号: CN210638841U 公开(公告)日: 2020-05-29
发明(设计)人: 费斐 申请(专利权)人: 安徽百瑞特自动化仪表科技有限公司
主分类号: G01L19/00 分类号: G01L19/00;G01L19/14
代理公司: 北京华仁联合知识产权代理有限公司 11588 代理人: 陈建
地址: 239300 安徽省滁州市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 高精度 单晶硅 压力变送器
【权利要求书】:

1.一种新型高精度单晶硅压力变送器,包括连接柱(15),其特征在于:所述连接柱(15)的两侧均安装有两个连接块(1),所述连接柱(15)与连接块(1)通过固定轴(2)固定,其中一个所述连接块(1)的一侧安装有四个焊接柱(18),所述焊接柱(18)的上端面设置有限位槽(19),所述焊接柱(18)的一侧安装有固定板(17),所述连接块(1)的内侧设置有连接孔(3),所述连接孔(3)的一侧安装有卡具(4),所述卡具(4)的两端均安装有伸出块(16),所述伸出块(16)的下端安装有两个弹簧(6),所述卡具(4)的上端安装有拉钮(5),所述连接柱(15)的上端安装有支撑轴(7),所述支撑轴(7)的上端安装有转轴(8),所述转轴(8)的上端安装有保护壳(9),所述保护壳(9)的两端均安装有端盖(11),其中一个所述端盖(11)的内侧安装有电阻丝(12)。

2.根据权利要求1所述的一种新型高精度单晶硅压力变送器,其特征在于:所述保护壳(9)一端的下端安装有电器盒(10),所述电器盒(10)与保护壳(9)通过螺钉固定。

3.根据权利要求1所述的一种新型高精度单晶硅压力变送器,其特征在于:所述保护壳(9)包括防电磁层(14)和钢铁层(13),所述钢铁层(13)的内侧安装有防电磁层(14),所述防电磁层(14)与钢铁层(13)通过冲压形成。

4.根据权利要求1所述的一种新型高精度单晶硅压力变送器,其特征在于:所述伸出块(16)的下端与弹簧(6)的上端完全贴合,所述伸出块(16)与弹簧(6)通过焊接固定。

5.根据权利要求1所述的一种新型高精度单晶硅压力变送器,其特征在于:所述卡具(4)的内侧设置有限位孔,所述限位孔内径大小与焊接柱(18)的直径大小完全相同。

6.根据权利要求1所述的一种新型高精度单晶硅压力变送器,其特征在于:所述端盖(11)的内侧与电阻丝(12)的外表面完全贴合,所述端盖(11)与电阻丝(12)通过螺钉固定。

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