[实用新型]一种边耦合光电器件封装结构

权利要求书

1.一种边耦合光电器件封装结构，其特征在于，包括

光芯片(1)，所述光芯片(1)上设置有边耦合结构；

光耦合结构块(2)，其与所述边耦合结构抵接，所述光耦合结构块(2)上开设有用于固定光纤(8)以使光纤(8)与光芯片(1)耦合的通孔；

透明树脂保护结构块(3)，其设置在所述光芯片(1)与所述光耦合结构块(2)之间，用于覆盖所述光芯片(1)的耦合表面以保证正常通光；

以及，封装层(4)，所述光芯片(1)、耦合结构块以及透明保护树脂均位于所述封装层(4)内。

2.根据权利要求1所述的边耦合光电器件封装结构，其特征在于，所述边耦合光电器件封装结构还包括再布线层(5)以及电芯片(6)，所述光芯片(1)上具有第一焊盘(11)，所述再布线层(5)与所述第一焊盘(11)抵接，且与所述光芯片(1)电连接，所述电芯片(6)也位于所述封装层(4)内，所述电芯片(6)上具有第二焊盘(61)，所述第二焊盘(61)与所述再布线层(5)抵接，且所述电芯片(6)与所述再布线层(5)也电连接。

3.根据权利要求1或2所述的边耦合光电器件封装结构，其特征在于，所述透明树脂保护结构块(3)为紫外光固化透明树脂保护结构块。

4.根据权利要求3所述的边耦合光电器件封装结构，其特征在于，所述透明树脂保护结构块(3)为环氧树脂保护结构块或苯并环丁烯保护结构块。

5.根据权利要求1或2所述的边耦合光电器件封装结构，其特征在于，所述光芯片(1)为激光器、调制器、探测器或具有光波导的集成芯片。

6.根据权利要求1或2所述的边耦合光电器件封装结构，其特征在于，所述光芯片(1)为铟化合物半导体芯片、镓化合物半导体芯片、砷化合物半导体芯片、磷化合物半导体芯片、硅芯片、碳化硅芯片或氮化硅芯片中的任一种。

7.根据权利要求1所述的边耦合光电器件封装结构，其特征在于，所述边耦合结构为模斑转换器或波导结构。

8.根据权利要求1所述的边耦合光电器件封装结构，其特征在于，所述光耦合结构块(2)为硅基光耦合结构块、玻璃基光耦合结构块或陶瓷基光耦合结构块。