[实用新型]可防止插簧偏歪的耦合器有效
申请号: | 201922020586.9 | 申请日: | 2019-11-20 |
公开(公告)号: | CN210628582U | 公开(公告)日: | 2020-05-26 |
发明(设计)人: | 陈满华 | 申请(专利权)人: | 中山市盈宏电子科技有限公司 |
主分类号: | H01R13/42 | 分类号: | H01R13/42;H01R13/11;H01R13/52;H01R24/00 |
代理公司: | 中山市捷凯专利商标代理事务所(特殊普通合伙) 44327 | 代理人: | 杨连华 |
地址: | 528400 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可防止 插簧偏歪 耦合器 | ||
1.可防止插簧偏歪的耦合器,包括相互插接配合的上耦合器(1)和下耦合器(2),所述下耦合器(2)包括下耦合器组配体(22)、可卡接于所述下耦合器组配体(22)上的插簧(24),其特征在于:所述下耦合器组配体(22)前下侧开设有朝后凹陷以用于容置所述插簧(24)下端的前下凹槽(221),且其前上侧开设有朝后凹陷以用于容置所述插簧(24)上端的前上凹槽(222),所述下耦合器组配体(22)上还设有位于所述前下凹槽(221)与所述前上凹槽(222)间且朝前凸起以用于卡接所述插簧(24)的前凸卡接部(223),以及还设有位于所述前上凹槽(222)前上侧且沿所述前上凹槽(222)横向方向设置以用于防止所述插簧(24)上端偏歪的限位条(224)。
2.根据权利要求1所述的可防止插簧偏歪的耦合器,其特征在于:所述前上凹槽(222)内左右侧壁均设有向中凸起以用于紧配合所述插簧(24)上端的向中凸起部(2221)。
3.根据权利要求1所述的可防止插簧偏歪的耦合器,其特征在于:所述下耦合器(2)还包括可套设于所述下耦合器组配体(22)上部外侧的下耦合器主体(21),以及设于所述下耦合器组配体(22)与所述下耦合器主体(21)间的密封垫(23)。
4.根据权利要求3所述的可防止插簧偏歪的耦合器,其特征在于:所述下耦合器主体(21)上侧开设有与所述前上凹槽(222)对应设置且上下贯通的上下贯通让位孔(211);
所述密封垫(23)上侧设有向上凸起且可嵌设于所述上下贯通让位孔(211)内的上凸起部(231),所述上凸起部(231)内开设有一空腔(2311),且所述上凸起部(231)上侧壁开设有上下贯通所述空腔(2311)的贯通插缝(2312)。
5.根据权利要求4所述的可防止插簧偏歪的耦合器,其特征在于:所述密封垫(23)上还开设有上下贯通且位于所述上凸起部(231)一侧的上下贯通定位孔(232);
所述下耦合器组配体(22)上侧设有向上凸起且可卡设于所述上下贯通定位孔(232)内以用于定位连接所述密封垫(23)的上凸定位部(225)。
6.根据权利要求5所述的可防止插簧偏歪的耦合器,其特征在于:所述下耦合器主体(21)左右两侧均开设有下耦合器主体连接孔(212),所述下耦合器组配体(22)左右两侧均开设有与所述下耦合器主体连接孔(212)对应设置的下耦合器组配体连接孔(226)。
7.根据权利要求6所述的可防止插簧偏歪的耦合器,其特征在于:所述上耦合器(1)包括可套设于所述下耦合器主体(21)上部外侧的上耦合器主体(11),以及设于所述上耦合器主体(11)上并与所述上凸起部(231)对应设置且可依次贯穿所述插缝(2312)、所述空腔(2311)后伸入所述前上凹槽(222)内以用于与所述插簧(24)上端相连接的连接插针(12)。
8.根据权利要求7所述的可防止插簧偏歪的耦合器,其特征在于:所述上耦合器主体(11)左右两侧均开设有与所述下耦合器主体连接孔(212)对应设置的上耦合器主体连接孔(111)。
9.根据权利要求7所述的可防止插簧偏歪的耦合器,其特征在于:所述上耦合器主体(11)和所述下耦合器主体(21)、所述下耦合器组配体(22)及所述密封垫(23)的形状均为弧形状。
10.根据权利要求7所述的可防止插簧偏歪的耦合器,其特征在于:所述连接插针(12)的数量为5针。
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