[实用新型]一种高稳定性的MOS管封装结构

说明书

本实用新型公开了一种高稳定性的MOS管封装结构，包括一呈矩形体设置的环氧树脂封装体，所述环氧树脂封装体内置一芯片，所述环氧树脂封装体与所述芯片之间设有一散热体，所述散热体呈矩形腔体设置，且所述散热体第一端延伸出所述环氧树脂封装体前侧面，所述芯片容置于所述散热体内，且所述芯片与所述散热体之间填充有导热硅胶；还包括与所述芯片连接的引脚，所述引脚穿设与所述环氧树脂封装体后侧面；所述环氧树脂封装体上表面沿其宽度方向还均布有若干凹槽，所述环氧树脂封装体左右两侧面沿其长度方向分别设有用于相互卡接的滑台和滑槽。本实用新型技术方案改善现有MOS管的结构，提高其散热性能，方便其安装。

技术领域

本实用新型涉及MOS管技术领域，特别涉及一种高稳定性的MOS管封装结构。

背景技术

MOS管是金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，现有的MOS管在封装时，考虑到生产成本的限制，导致其结构的散热性能较差，而MOS管在长时间工作时会产生大量的热，较差的散热性能严重影响着MOS管的使用寿命，增加后期的使用成本，同时，受限于现有的结构设计，MOS管的安装较繁琐，影响生产效率。

因此，现有技术存在缺陷，需要改进。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是提出一种高稳定性的MOS管封装结构，旨在改善现有MOS管的结构，提高其散热性能，方便其安装。

为实现上述目的，本实用新型提出的一种高稳定性的MOS管封装结构，包括一呈矩形体设置的环氧树脂封装体，所述环氧树脂封装体内置一芯片，所述环氧树脂封装体与所述芯片之间设有一散热体，所述散热体呈矩形腔体设置，且所述散热体第一端延伸出所述环氧树脂封装体前侧面，所述芯片容置于所述散热体内，且所述芯片与所述散热体之间填充有导热硅胶；还包括与所述芯片连接的引脚，所述引脚穿设与所述环氧树脂封装体后侧面；所述环氧树脂封装体上表面沿其宽度方向还均布有若干凹槽，所述环氧树脂封装体左右两侧面沿其长度方向分别设有用于相互卡接的滑台和滑槽。

优选地，所述滑台横截面呈T型设置，所述滑槽形状与所述滑台形状适配。

优选地，所述凹槽横截面呈V型设置，且所述凹槽开口呈120°设置。

优选地，所述散热体第一端侧面开设一圆形通孔。

优选地，所述散热体设置为铜或铝制成的一体成型结构。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：改善了传统MOS管的结构，通过在环氧树脂封装体内增设延伸至其外部的散热体，可以快速将其内部芯片产生的热量到处，在环氧树脂封装体表面设置凹槽，增大其与空气的接触面积，进一步加快散热，提高MOS管的散热性能。同时，在环氧树脂左右两侧面设置相互卡接的滑台滑槽结构，可以实现多个MOS管的拼接安装，可以大大提高生产效率，节约生产成本。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本实用新型MOS管整体结构示意图；

图2为本实用新型MOS管侧面剖视图；

图3为本实用新型相邻两MOS管拼接结构示意图；

本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式