[实用新型]一种单晶碳化硅晶片加工装置

权利要求书

1.一种单晶碳化硅晶片加工装置，包括真空载台基座(1)和削载台(3)，其特征在于：所述真空载台基座(1)的输出端连接有旋转轴(11)，旋转轴(11)的上端连接有真空载台(12)，真空载台(12)上吸合有晶片(4)，真空载台基座(1)的一侧连接有电动伸缩杆(13)，电动伸缩杆(13)的上端连接有安装板(14)，安装板(14)的上表面连接有横板(15)，所述横板(15)的上通过滑槽活动连接有CCD摄像机(2)，横板(15)的两端分别连接有第一固定板(151)和第二固定板(152)，第一固定板(151)的下端与安装板(14)的上表面固定连接，第一固定板(151)一侧安装有驱动电机(153)，驱动电机(153)输出端贯穿第一固定板(151)，并连接有丝杆(154)，丝杆(154)的一端通过轴承与第二固定板(152)连接，所述CCD摄像机(2)的下端连接有聚焦透镜(21)，CCD摄像机(2)的一侧连接有激光脉冲头(22)，所述削载台(3)的上端通过转轴连接有载物台(31)，削载台(3)的一侧连接有支架(32)，支架(32)的上端连接过削磨架(33)，削磨架(33)的一端连接有砂轮(34)。

2.根据权利要求1所述的一种单晶碳化硅晶片加工装置，其特征在于：所述真空载台(12)和载物台(31)均连接吸真空装置，且真空载台(12)的直径小于晶片(4)的直径。

3.根据权利要求1所述的一种单晶碳化硅晶片加工装置，其特征在于：所述CCD摄像机(2)的一侧连接有连接块(23)，丝杆(154)贯穿连接块(23)，并与连接块(23)啮合。

4.根据权利要求1所述的一种单晶碳化硅晶片加工装置，其特征在于：所述激光脉冲头(22)的功率范围为10-100W，激光频率为5-50KHz。