[实用新型]一种沟槽式MOS型肖特基二极管

说明书

本实用新型公开了一种沟槽式MOS型肖特基二极管，包括线路板本体，以及设置在线路板本体上的二极管本体和稳定杆，二极管本体的外壁套设有第一半环套管和第二半环套管，第一半环套管和第二半环套管朝向稳定杆的一端设置有导杆，稳定杆上设置导孔，导孔与导杆滑动套接，导杆上设置有挡块，第一半环套管上设置有插块，第二半环套管上设置有插槽，插块和插槽插接，第一半环套管和第二半环套管的插块插接位置设置有插柱。实现了对二极管本体的外壁面进行稳定套接，避免焊接在线路板本体上的二极管本体产生晃动，提高了焊接在线路板本体上的二极管本体的稳定性，避免了半环套管对二极管本体产生直接挤压。

技术领域

本实用新型涉及肖特基二极管技术领域，具体为一种沟槽式MOS型肖特基二极管。

背景技术

肖特基二极管是以其发明人肖特基博士命名的，肖特基二极管是肖特基势垒二极管,其简称为SBD，其是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的，因此，SBD也称为金属－半导体(接触)二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管，然而，现有的肖特基二极管，在焊接到线路板上后，焊接后，肖特基二极管一般是不能和线路板直接接触，并且造成肖特基二极管处于线路板上端较高位置，由于肖特基二极管的焊脚一般较细，位于高处的肖特基二极管容易造成晃动，时间久了，焊脚的焊接位置容易松动。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种沟槽式MOS型肖特基二极管，以解决现有技术存在的焊接在线路板本体上的二极管本体的稳定性的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种沟槽式MOS型肖特基二极管，包括线路板本体，以及设置在线路板本体上的二极管本体和稳定杆，所述二极管本体的外壁套设有第一半环套管和第二半环套管，所述第一半环套管和第二半环套管朝向稳定杆的一端设置有导杆，所述稳定杆上设置导孔，导孔与导杆滑动套接，所述导杆上设置有挡块，所述第一半环套管上设置有插块，所述第二半环套管上设置有插槽，插块和插槽插接，所述第一半环套管和第二半环套管的插块插接位置设置有插柱。

优选的，所述插块上设置有卡接槽，所述卡接槽的内壁面上设置有阻尼垫，所述第二半环套管上设置有插接孔，所述插柱穿过插接孔与卡接槽插接，所述插柱上设置有滑槽，滑槽内滑动连接有滑块，滑块的右端与滑槽之间设置有弹簧，所述滑块的左端设置有限位块，所述阻尼垫上设置有限位槽，限位槽与限位块卡接。

优选的，所述插柱的上端设置有柱帽，所述柱帽上设置有扣槽。

优选的，所述插柱的数量为两个并以第一半环套管的横向中轴线为中心上下对称设置。

优选的，所述稳定杆的数量为两个并以二极管本体的竖向中轴线为中心左右对称设置。

优选的，所述第一半环套管和第二半环套管的内管壁面设置有缓冲垫，所述第一半环套管和第二半环套管的管壁上设置有气孔，气孔数量为多个并贯通第一半环套管和第二半环套管的管壁以及缓冲垫。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

1.通过设置的横向滑动导向式半环套管快速卡接结构以及两侧的稳定杆，实现了对二极管本体的外壁面进行稳定套接，避免焊接在线路板本体上的二极管本体产生晃动，进而避免了焊脚的焊接位置松动，有效提高了焊接在线路板本体上的二极管本体的稳定性；

2.通过设置的缓冲垫以及气孔结构，在对二极管本体的外壁面进行稳定套接时，避免了半环套管对二极管本体产生直接挤压，而且设置的多个气孔可以保证二极管本体的散热性能。

附图说明

图1为本实用新型的整体结构侧视立面图；

图2为本实用新型的上侧的半环套管快速卡接结构局部放大剖视图；

图3为本实用新型的整体结构俯视图。