[实用新型]一种集成程控增益放大功能的模拟前端结构

权利要求书

1.一种集成程控增益放大功能的模拟前端结构，其特征在于，包括第一缓冲器、第二缓冲器、选路开关S0、跨导放大器、跨阻放大器、第一低通滤波器以及第二低通滤波器；所述第一缓冲器的输入端与输入信号连接，其输出端分别与输入参考电流源以及选路开关S0的第一输入端连接；所述第二缓冲器的输入端与参考电压连接，其输出端与选路开关S0的第二输入端连接；所述选路开关S0的第一输出端与跨导放大器的第一输入端连接，其第二输出端与跨导放大器的第二输入端连接；所述跨导放大器的第一输出端与跨阻放大器的第一输入端连接，其第二输出端与跨阻放大器的第二输入端连接；所述跨阻放大器的第一输出端与第一低通滤波器的输入端连接，其第二输出端与第二低通滤波器的输入端连接；所述第一低通滤波器的输出端以及第二低通滤波器的输出端均与模数转换器连接。

2.根据权利要求1所述的模拟前端结构，其特征在于，所述第一缓冲器和第二缓冲器结构相同，均包括选路开关S1、选路开关S2和选路开关S3，所述选路开关S1的第一输入端为第一缓冲器或第二缓冲器的输入端，其第二输入端分别与PMOS管MP7的漏极以及NMOS管MN2的漏极连接，并作为第一缓冲器或第二缓冲器的输出端，所述选路开关S1的第一输出端与PMOS管MP2的栅极连接，其第二输出端与PMOS管MP3的栅极连接；

所述PMOS管MP2的源极与PMOS管MP3的源极均与PMOS管MP1的漏极连接，所述PMOS管MP1的源极与电压VDD连接，所述PMOS管MP2的漏极分别与NMOS管MN3的漏极以及选路开关S3的第一输入端连接，所述PMOS管MP3的漏极分别与NMOS管MN4的漏极以及选路开关S3的第二输入端连接，所述NMOS管MN3的栅极与NMOS管MN4的栅极连接，所述NMOS管MN3的源极以及NMOS管MN4的源极均接地，所述选路开关S3的第一输出端与NMOS管MN1的源极连接，其第二输出端与NMOS管MN2的源极连接，所述NMOS管MN1的栅极与NMOS管MN2的栅极连接；

所述选路开关S2的第一输入端与PMOS管MP6的源极连接，其第二输入端与PMOS管MP7的源极连接，其第一输出端与PMOS管MP4的漏极连接，其第二输出端与PMOS管MP5的漏极连接，所述PMOS管MP6的栅极与PMOS管MP7的栅极连接，所述PMOS管MP4的栅极分别与PMOS管MP5的栅极、PMOS管MP6的漏极以及NMOS管MN1的漏极连接，所述PMOS管MP4的源极以及PMOS管MP5的源极均与电压VDD连接。

3.根据权利要求1所述的模拟前端结构，其特征在于，所述跨导放大器包括电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4，所述电阻R1的一端与电阻R2的一端连接，其另一端分别与开关K1的一端、PMOS管MP12的漏极以及PMOS管MP14的源极连接，所述电阻R2的另一端分别与开关K2的一端、PMOS管MP13的漏极以及PMOS管MP15的源极连接，所述电阻R3的一端与电阻R4的一端连接，其另一端与开关K1的另一端连接，所述电阻R4的另一端与开关K2的另一端连接；

所述PMOS管MP12的源极与电压VDD连接，其栅极分别与PMOS管MP16的漏极以及NMOS管MN18的源极连接，并作为跨导放大器的第一输出端，所述PMOS管MP13的源极与电压VDD连接，其栅极分别与PMOS管MP17的漏极以及NMOS管MN19的源极连接，并作为跨导放大器的第二输出端，所述PMOS管MP16的栅极与PMOS管MP17的栅极连接，所述PMOS管MP16的源极以及PMOS管MP17的源极均与电压VDD连接；

所述PMOS管MP14的栅极为跨导放大器的第一输入端，其漏极分别与电容C1的一端、NMOS管MN9的漏极、接地电容C2以及NMOS管MN18的栅极连接，所述PMOS管MP15的栅极为跨导放大器的第二输入端，其漏极分别与电容C1的另一端、NMOS管MN10的漏极、接地电容C3以及NMOS管MN19的栅极连接，所述NMOS管MN9的栅极与NMOS管MN10的栅极连接，所述NMOS管MN18的漏极、NMOS管MN9的源极、NMOS管MN10的源极以及NMOS管MN19的漏极均接地。