[实用新型]循环蚀刻装置有效
申请号: | 201922060106.1 | 申请日: | 2019-11-26 |
公开(公告)号: | CN211555832U | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | 周建 | 申请(专利权)人: | 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 石慧 |
地址: | 312000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 循环 蚀刻 装置 | ||
本实用新型涉及一种循环蚀刻装置,包括蚀刻槽、循环管路和注液管路,所述蚀刻槽用于蚀刻晶圆;所述循环管路的两端均与所述蚀刻槽连通,循环管路内的液体单向导通,用于循环过滤蚀刻液;所述注液管路与所述蚀刻槽连通。通过设置循环管路的机械结构,使循环管路内的液体只能沿着设定的方向单向流动,防止液体逆流或泄露,从而保证湿法蚀刻的效果和质量。
技术领域
本实用新型涉及芯片制造领域,特别是涉及一种循环蚀刻装置。
背景技术
随着科学技术的不断发展,半导体制造工艺也在飞速进步。在半导体器件制造时,为了形成设定的功能层和器件结构,湿法蚀刻是一个必不可少的工艺制程。湿法蚀刻通常使用酸性液体对未被光阻或掩模遮挡的区域进行蚀刻,器件的蚀刻效果与蚀刻液的浓度、液体量都息息相关。
在传统的湿法蚀刻设备中,由于不合理的管路设计,蚀刻槽内的蚀刻液容易发生逆流或泄露,导致蚀刻槽内的液位过低,进而导致湿法蚀刻形成的器件结构与设计结构不同。因此,为了解决现有湿法蚀刻设备容易发生逆流或泄露的问题,亟需提供一种循环蚀刻装置。
实用新型内容
基于此,有必要针对现有湿法蚀刻设备容易发生逆流或泄露的问题,提供一种循环蚀刻装置。
一种循环蚀刻装置,其特征在于,包括:
蚀刻槽,用于将晶圆置于其中进行湿法刻蚀;
循环管路,所述循环管路设有分别与所述蚀刻槽连通的进液端和出液端,循环管路内的液体自进液端向出液端单向导通,用于循环过滤蚀刻液;
注液管路,所述注液管路与所述蚀刻槽连通。
下面进一步对技术方案进行说明:
在其中一个实施例中,所述蚀刻槽设有内槽和外槽,所述内槽和外槽相邻贴合设置,所述内槽的顶部高于所述外槽的顶部;
所述循环管路的进液端与所述外槽连通,所述循环管路的出液端与所述内槽连通。
在其中一个实施例中,所述内槽的形状为圆柱体、长方体或正方体中的一种。
在其中一个实施例中,所述循环蚀刻装置包括排液管路,所述排液管路与所述内槽连通,所述排液管路设有常闭阀。
在其中一个实施例中,所述常闭阀为气动常闭阀。
在其中一个实施例中,所述循环管路包括:
风囊泵,所述风囊泵的进水口作为所述进液端与所述蚀刻槽连通,用于将蚀刻液输送至所述蚀刻槽,所述风囊泵腔体的内表面涂布有抗腐蚀涂层,因此不易被蚀刻液腐蚀,具有较好的稳定性;
过滤器,与所述风囊泵的出水口连通,用于滤除蚀刻液中的固体杂质;
单向阀,设在所述过滤器与蚀刻槽之间,用于控制循环管路内的液体流动方向。
在其中一个实施例中,所述单向阀为重力球阀。
在其中一个实施例中,所述单向阀为弹簧式锥阀。
在其中一个实施例中,所述过滤器设有至少两层滤网,每层所述滤网的孔径不同,靠近所述风囊泵一侧的滤网孔径大于靠近所述单向阀一侧的滤网孔径。
在其中一个实施例中,所述循环管路设有液温调节单元,所述液温调节单元包括温度计、自动控制组件、加热组件和制冷组件,所述温度计、加热组件和制冷组件依次串联连接,所述自动控制组件与所述温度计、加热组件和制冷组件分别电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造