[实用新型]干式晶圆回收设备

说明书

一种干式晶圆回收设备包括一平台、一发射器、一驱动机构以及一控制器。平台用于承载一晶圆，晶圆的一表面上存在有附着物。发射器发出一复原光束打在附着物上。驱动机构驱动平台与发射器的两者或一者，以使晶圆与发射器产生相对运动，使得复原光束扫描附着物并将附着物移离晶圆，以复原晶圆的表面。控制器电连接至发射器及驱动机构，并控制复原光束的工作参数及相对运动。

技术领域

本实用新型涉及一种晶圆回收设备，且特别涉及一种干式晶圆回收设备。

背景技术

半导体产业发展迅速，利用半导体制造工艺来制造电子产品的技术已经蓬勃发展。半导体制造工艺是利用半导体制造电子元件与电子产品(包括主动元件、被动元件、储存器、微处理器、LED、显示面板、太阳能板…等等)。这些电子元件与电子产品的制作过程包括芯片氧化层成长、微影技术、刻蚀、清洗、杂质扩散、离子植入及薄膜沉积...等等无法尽列的各项技术，所需制造工艺有时可多达数百个步骤。在半导体制造工艺中，一个晶舟里面承载多片晶圆，譬如是13片或15片晶圆，里面含有产品晶圆及非产品晶圆，非产品晶圆包括控片(Control Wafer)与挡片(Dummy Wafer)，是被用来增加产品质量与制造工艺稳定的晶圆片，其用途为监控机台制造工艺品质、机台热机、机台保养以及制造工艺改善实验。一般挡片与控片在机台设备使用完毕，或是产品晶圆历经不成功制造工艺而无法成为产品时，便会将晶圆进行清洗将其表面存在的附着物清除后分类，回收循环成为可再度使用的挡片、控片、可供作产品晶圆使用的晶圆片、供其他领域使用的晶圆片、或供其他产业(例如硅基锂电池阴极或阳极)使用的半导体材料，通过重复性的使用晶圆片，便可减少工厂购置新晶圆成本的投入。

传统的晶圆的回收方式，可以通过化学药剂(包括氢氟酸、盐酸、硫酸、硝酸、双氧水等)来刻蚀掉晶圆表面的附着物，然后进行化学机械抛光(Chemical MechanicalPolishing，CMP)，以便达到回收晶圆的效果。

半导体制造工艺中所用的晶圆片的数量很多，用化学药剂除去晶圆表面的附着物需要使用大量的化学药剂及水。因此，上述晶圆回收技术需要浪费很多化学药剂、水、能源及成本，不但造成污染，且可能使操作人员受到化学药剂的伤害，或者是对于回收晶圆造成损害。

实用新型内容

本实用新型的实施例的一个目的是提供一种干式晶圆回收设备，可复原晶圆的表面，从而以低成本、低耗能、低污染的方式回收晶圆，且以无损耗的状态回收晶圆，让回收后的晶圆在通过CMP之后可以在半导体制造工艺中被多次复新使用。

为达上述目的，本实用新型的实施例提供一种干式晶圆回收设备，包括一平台、一发射器、一驱动机构以及一控制器。平台用于承载一晶圆，晶圆的一表面上存在有附着物。发射器发出一复原光束打在附着物上。驱动机构驱动平台与发射器的两者或一者，以使晶圆与发射器产生相对运动，使得复原光束扫描附着物并将附着物移离晶圆，以复原晶圆的表面。控制器电连接至发射器及驱动机构，并控制复原光束的工作参数及相对运动。

作为上述技术方案的优选，较佳的，晶圆的材料为选自于锗、硅、硒、砷化镓、磷化镓、锑化铟、砷化铟(InAs)、铟镓砷(InGaAs)所组成的群组。

作为上述技术方案的优选，较佳的，复原光束具有一中间区段及一周边区段，所述中间区段具有截头的强度分布，所述周边区段位于所述中间区段的周边，并且具有向外递减的强度分布，所述中间区段的一部分或全部打在所述附着物上，所述中间区段的复原光束强度大致上低于破坏所述晶圆的临界损坏强度，而高于剥离所述附着物的临界剥离强度。

作为上述技术方案的优选，较佳的，复原光束包括一高频区段及一低频区段，所述高频区段的频率高于所述低频区段的频率，且所述高频区段的功率低于所述低频区段的功率。

作为上述技术方案的优选，较佳的，干式晶圆回收设备还包括一摄影机，电连接至所述控制器，所述摄影机拍摄所述晶圆而产生一图像信号，所述控制器依据所述图像信号控制所述相对运动。