[实用新型]一种太阳能电池硅片薄膜制备热丝沉积设备有效

专利信息
申请号: 201922068458.1 申请日: 2019-11-26
公开(公告)号: CN211142164U 公开(公告)日: 2020-07-31
发明(设计)人: 李忠涌;王岚;陈坤;苏荣;眭山 申请(专利权)人: 通威太阳能(眉山)有限公司
主分类号: C23C16/24 分类号: C23C16/24;C23C16/44;C23C16/455
代理公司: 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 代理人: 邓芸
地址: 620000 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 太阳能电池 硅片 薄膜 制备 沉积 设备
【说明书】:

实用新型公开了一种太阳能电池硅片薄膜制备热丝沉积设备,涉及太阳能电池制造技术领域,本实用新型包括反应室,反应室内设置有竖直布置的热丝和托板,托板用于固定电池硅片,反应室一侧端设置有正对托板的进气口,反应室另一侧端设置有排气口,本实用新型具有结构简单、保证反应气体与电池硅片充分接触、制得的电池硅片薄膜均匀性高的优点。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池制造技术领域,更具体的是涉及一种太阳能电池硅片薄膜制备热丝沉积设备。

背景技术

随着太阳能电池板技术的快速发展,太阳能电池生产规模的扩大以及降本提效口号的驱动,多个类型的太阳能电池板相继打破原有的光转换效率,而随着IBC太阳能电池以及异质结太阳能电池逐渐进入工厂化,工厂规模化生产对工艺以及设备要求更高,尤其是电池沉积工艺中,传统的薄膜沉积设备对基底硅片的影响巨大。传统的PECVD沉积法,在应用过程中具有成膜质量好、基本温度低和沉积速率快的优点,但借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体,在局部形成等离子体的过程中,等离子体会对基底硅片表面造成等离子体损伤,以致于制成的太阳能电池在实际应用中出现光电转换异常。

现有利用Cat-CVD沉积法制备硅片薄膜的沉积设备,在薄膜制备过程的效果好,且不会出现等离子体对基底硅片造成损伤的缺点,薄膜沉积的反应气源一般为SiH4和H2两种气体,而现有硅片薄膜沉积设备一般采用顶部进气、底部出气的方式,使得气体由于重力作用快速向底部沉积,从而影响薄膜均匀性。

故如何解决上述技术问题,对于本领域技术人员来说很有现实意义。

实用新型内容

本实用新型的目的在于:为了解决现有硅片薄膜沉积设备一般采用顶部进气、底部出气的方式,使得气体由于重力作用快速向底部沉积,从而影响薄膜均匀性的技术问题,本实用新型提供一种太阳能电池硅片薄膜制备热丝沉积设备。

本实用新型为了实现上述目的具体采用以下技术方案:

一种太阳能电池硅片薄膜制备热丝沉积设备,包括反应室,反应室内设置有竖直布置的热丝和托板,托板用于固定电池硅片,反应室一侧端设置有正对托板的进气口,反应室另一侧端设置有排气口。

进一步地,托板设置有两个,热丝位于两托板之间,且热丝与两托板之间具有间隔空隙。

进一步地,托板侧壁设置有用于限制硅片产生位移的扣槽,扣槽对称设于电池硅片的两条对边边缘。

进一步地,进气口连接有位于反应室内的匀气板,匀气板正对托板,匀气板用于将气体均匀排出。

进一步地,匀气板内设有匀气腔,匀气板靠近托板的一侧端设置有若干个连通反应室与匀气腔的出气孔。

本实用新型的有益效果如下:

1、本实用新型采用在反应室一侧面进气、另一侧面排气的方式,使得气体进入反应室后,先缓慢充斥在反应室内,方可从另一侧面排气,整个进气排气过程使得反应室中部反应气体均匀,反应气体可充分与电池硅片接触,有利于实现薄膜沉积。

2、不同密度的反应气体通过进气口进入匀气腔内先进行充分混合,若干出气孔能将匀气腔内的气体均匀排出,从而使得热丝与托板之间均匀充斥了反应源气体,反应源气体在热丝的热作用下,逐渐沉积在电池硅片表面,整个过程消耗的气体量少,能提高电池硅片的沉积量,有利于节约气体消耗,从而节约生产成本。

附图说明

图1是本实用新型一种太阳能电池硅片薄膜制备热丝沉积设备的结构示意图。

附图标记:1-反应室,2-热丝,3-托板,4-电池硅片,5-进气口,6-排气口,7-扣槽,8-匀气板,9-匀气腔,10-出气孔。

具体实施方式

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