[实用新型]一种用于平板式镀膜系统的硅片承载架及载板有效
申请号: | 201922070773.8 | 申请日: | 2019-11-26 |
公开(公告)号: | CN210467792U | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 何振杰 | 申请(专利权)人: | 杭州海莱德智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/687;H01L31/18 |
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地址: | 310051 浙江省杭州市滨*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 平板 镀膜 系统 硅片 承载 | ||
本实用新型的一种用于平板式镀膜系统的硅片承载架,包括承载孔和承载框,承载框用以承载硅片,且包括承载水平面、承载垂直面和承载侧面;承载孔的四角均设置有倒角;承载水平面和所述承载侧面的底部通过承载垂直面连接,承载侧面由下往上逐渐向外倾斜,承载水平面与承载侧面所形成的夹角α为100‑150°。本实用新型的用于平板式镀膜系统的硅片承载架及载板,避免了硅片与载板的面接触,减少了载板对硅片表面的污染,实现了硅片的良好受热,硅片被加热的更快,防止绕镀现象,硅片载板稳定性好,易于取放硅片。
技术领域
本实用新型涉及光伏设备领域,更具体地说,涉及一种用于平板式镀膜系统的硅片承载架及载板。
背景技术
太阳能电池是光伏发电核心器件,在太阳能电池生产过程中,硅片放置在载板上,由载板承载进入太阳能电池镀膜设备,在设备中进行工艺制程反应,工艺制程中会生成氧化铝及氮化硅等物质,该物质附着能力较强,普通材料的载板被附着后难以清洗。同时,工艺制程的过程,腔室加热到400℃高温,最高达到600℃,在高温的环境中,载板受热变形也是一技术难题,变形过大,导致工艺效果差,产品性能不达标。电池镀膜设备输送线之间跨度大,传输系统由于结构受限,同时基于成本考虑,无法做到大功率、高扭矩,这样导致传输系统不能承受较重的载板,所以硅片载板的材料及结构是一大挑战。载板既要尺寸大、重量轻、热变形小、强度高、刚性好。此外,硅片在制程工艺中,硅片需要被加热,底部遮挡严重则加热时间长,热量大部分被载板带走,能耗高且不利于硅片的受热。
申请号为201621385774.1的中国实用新型专利提供了一种斜承载面碳纤维载板,是对板式PECVD工艺中的硅片载板的结构改进,在载板上开设有用于装载硅片的槽,槽的边沿具有用于托住硅片的承载面,承载面是向槽内倾斜的斜托面,斜托面布置在被承载硅片的至少两个侧边上。本实用新型将载板与硅片的接触面从现有的90°平台阶面改进成斜托面,进而将硅片和载板接触由面接触改成线接触,极大减少接触面,避免镀膜生产过程中的影响,避免膜层不利影响,提高了电池片的镀膜效率。该种结构虽然在申请号为01420788733.1的中国实用新型专利基础上将现有的90°平台阶面改进成斜托面以减小硅片与载板的接触面积,但是由于硅片与载板线接触,在长时间加热及硅片自身重力作用下,线接触的硅片与载板之间形成一定的咬合力而易于导致后续硅片不易取走,而且硅片受热后在自重情况下没有承托会产生下凹形变而影响硅片品质。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型的目的在于提供一种用于平板式镀膜系统的硅片承载架及载板,从载板结构入手,保证承载硅片的前提下,尽量减少硅片和载板的接触,使受热效果更好,减少了硅片与载板的接触面积,实现了硅片的良好受热,硅片被加热的更快,防止绕镀现象,硅片载板稳定性好,易于取放硅片。
为了达到上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种用于平板式镀膜系统的硅片承载架,包括承载孔和承载框,所述承载框用以承载硅片,且包括承载水平面、承载垂直面和承载侧面;所述承载孔的四角均设置有倒角;
所述承载水平面和所述承载侧面的底部通过所述承载垂直面连接,所述承载侧面由下往上逐渐向外倾斜,所述承载水平面与所述承载侧面所形成的夹角α为100-150°。
优选的,所述承载垂直面的垂直高度为0.2-0.5mm。
优选的,所述承载水平面与所述承载侧面所形成的夹角α为120°。
优选的,所述承载框为矩形框。
一种用于平板式镀膜系统的硅片载板,包括硅片承载架,所述硅片承载架为上述任意一项所述的硅片承载架。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造