[实用新型]玻璃集成电感有效
申请号: | 201922072627.9 | 申请日: | 2019-11-27 |
公开(公告)号: | CN211088020U | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
发明(设计)人: | 奉建华;王文君;林彬;穆俊宏 | 申请(专利权)人: | 成都迈科科技有限公司 |
主分类号: | H01F17/02 | 分类号: | H01F17/02;H01F37/00;H01F41/02 |
代理公司: | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人: | 刘勋 |
地址: | 610000 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 玻璃 集成 电感 | ||
玻璃集成电感,涉及电子器件技术。本实用新型的玻璃集成电感包括玻璃基板和电感,所述电感由嵌入玻璃基板的螺旋式金属曲面板构成,螺旋式金属曲面板的轴线方向垂直于玻璃基板的表面。本实用新型的孔深径比可达20:1以上,不仅精度高而且效率高。
技术领域
本实用新型涉及电子器件技术。
背景技术
随着现代IC技术和计算机技术的迅速发展,通信系统的小型化、高可靠性、多功能集成已然成为一种主流趋势。然而,纵观以前的通信系统,电感,电容,滤波器等分立元件不但占据较大空间,而且消耗较多功率,严重阻碍了通信系统小型化和便携化的发展。
集成无源电感是微波射频电路中最基本也是最常用的器件之一,同时也是构成转换器、低噪声放大器以及匹配网络等电路模块的关键器件。为了迎合通信系统小型化和便携化的发展需求,电感集成于基板内部即将成为一种发展趋势。现在常用的集成无源电感技术是通过硅工艺来实现的,但是硅材料毕竟属于半导体材料,而如今通信信号的频率也越来越高,硅材料的高损耗因子便严重影响了电感的性能,造成其Q值较低(20-30之间),使得硅基集成无源电感不能满足射频集成电路的高性能要求。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是,提供一种具有较小寄生参数,满足高Q值,小型化的性能要求的集成电感。
本实用新型解决所述技术问题采用的技术方案是,玻璃集成电感,包括玻璃基板和电感,所述电感由嵌入玻璃基板的螺旋式金属曲面板构成,螺旋式金属曲面板的轴线方向垂直于玻璃基板的表面,即电感的中心磁场方向垂直于玻璃基板的表面。
本实用新型涉及的集成电感结构中,光敏玻璃基板采用玻璃通孔技术(TGV)来实现电感图形的制作,具有精度高,孔壁倾斜角小等优点。相比硅通孔技术TSV,玻璃本身是绝缘材料,无需在电感和基板间制作绝缘层,基板内部没有电迁移和涡流现象,从而提高电感Q值。整个电感埋入玻璃基板内部,两面均有钝化层作为保护,保证了该无源集成电感的可靠性和稳定性。除此之外,不同的电感线宽和线间距对应最大Q值的频率也不同且具有较大带宽,可满足不同应用频率下射频电路。因此,本实用新型是高频信号下理想的无源集成电感结构。
本实用新型具有下述优点:
工艺方面:
1、相比于硅基板,采用光敏玻璃做基板,无需制作绝缘层,工艺简单,成本低廉。
2、相比于其他TGV技术,光敏玻璃TGV技术采用湿法刻蚀,孔深径比可达20:1以上,不仅精度高而且效率高。
性能方面:
1、硅基板属于半导体材料,在高频信号下基本内易出现电迁移和涡流现象,自身损耗因子高,致使基于硅基板的电感Q值不高(20-30)。然而光敏玻璃本身为绝缘材料,寄生参数小,自身损耗小,能提高电感Q值到90-100之间且具有较大带宽。
2、采用立体电感结构,有助于减小电感值,且在1-10GHz内电感值随频率变化较为稳定。
3、光敏玻璃自身优异的微结构加工性能,完全满足元件小型化的要求。本实用新型采用玻璃材料可以实现远超50微米的厚度(硅的极限厚度50微米)。本实用新型工艺简化,成本低,效率高。
附图说明
图1是本实用新型的集成电感结构示意图。
图2是本实用新型的制备步骤示意图。
图3为本实用新型在1-10GHz,60um线宽下不同线间距(10um,20un,30um)所对应的仿真电感值曲线图。
图4为本实用新型在1-10GHz,60um线宽下不同线间距(10um,20un,30um)对应的仿真电感Q值曲线图。
具体实施方式
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