[实用新型]微带传输装置有效
申请号: | 201922075074.2 | 申请日: | 2019-11-27 |
公开(公告)号: | CN211088464U | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
发明(设计)人: | 奉建华;王文君;林彬;穆俊宏 | 申请(专利权)人: | 成都迈科科技有限公司 |
主分类号: | H01P3/08 | 分类号: | H01P3/08;H01P11/00;H01L23/66 |
代理公司: | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人: | 刘勋 |
地址: | 610000 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微带 传输 装置 | ||
微带传输装置,涉及电子器件。本实用新型的微带传输装置,包括基板和设置于基板表面的微带线,其特征在于,所述基板为玻璃基板,沿微带传输线的走向,在微带传输线的两侧各设置有一列穿透基板的金属化通孔,所述金属化通孔作为屏蔽孔。本实用新型采用可光刻玻璃制作高频信号屏蔽孔,相比硅通孔技术TSV,无需制作绝缘层,没有电迁移现象。
技术领域
本实用新型涉及电子器件,特别是微带传输线。
背景技术
随着IC芯片向纳米方向发展,人们对芯片的小体积、轻质量、高可靠性的要求越来越高。传统2D封装采用的引线键合技术需要长程互联,电路的延迟比较大且电路易失效,电路系统整体的质量和体积也比较大。电子产品的小型化、高集成度的发展趋势,需要对应的纳米封装技术与之对应,而通孔互联技术无疑是一种高性价比、高可靠性的互联封装技术。
现在常用的高频信号屏蔽孔多采用硅或者陶瓷做基板。用硅通孔技术TSV来进行信号屏蔽通孔的制作的话,由于硅是半导体材料,电阻率低,TSV周围电子在电磁场作用下可以自由移动,会对临近信号产生影响,不能很好的实现隔离传输,影响芯片性能。采用陶瓷通孔技术TCV的话,陶瓷主要是用激光打孔,其最小孔径为150μm,节距为250μm,因此孔中心间距最小为400μm,难以制作出高密度的通孔,无法实现好的隔离传输,孔的侧壁粗糙度也难以满足要求,且陶瓷激光打孔后强度会大大降低,无法实现小型化的制作要求,因此其在高频信号屏蔽传输方面应用有很大的限制。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是,针对技术背景存在的缺陷,提供一种采用可光刻玻璃为基板制作高频信号屏蔽孔结构及制备方法,达到制作出高密度、高精度、高性能的高频信号屏蔽孔的目的,以满足高频下对信号的保护和隔离传输。
本实用新型解决所述技术问题采用的技术方案是,微带传输装置,包括基板和设置于基板表面的微带线,其特征在于,所述基板为玻璃基板,沿微带传输线的走向,在微带传输线的两侧各设置有一列穿透基板的金属化通孔,所述金属化通孔作为屏蔽孔。
进一步的,所述金属化通孔的直径小于50微米,通孔的深度/直径的比值大于或等于10:1。
所述微带传输线包括顺次连接的A段、B段和C段,A段和C段位于基板的顶面,A段和B段通过金属化过孔连接,B段和C段通过金属化过孔连接。
本实用新型采用可光刻玻璃制作高频信号屏蔽孔,相比硅通孔技术TSV,无需制作绝缘层,没有电迁移现象,工艺简单可控;相比陶瓷穿孔技术TCV,用可光刻玻璃做基板,其基板厚度为0.381㎜,且其孔中心间距可小至16μm,大大提高了通孔密度,能制作出高密度、孔壁粗糙度可控的、良好机械性能的通孔。用可光刻玻璃做基板制作高频信号屏蔽孔,既能解决硅的电迁移现象和工艺复杂、成本高的问题,又能制作出高密度、高质量的通孔,金属化后能灵活实现信号保护和隔离传输,因此,是高频信号隔离传输的理想解决方案。
本实用新型具有下述优点:
1、用可光刻玻璃做基板,无需制作绝缘层,工艺简单,成本低。
2、可光刻玻璃做通孔能同时克服硅通孔的电迁移和陶瓷通孔强度、密度不够的缺陷,能得到高密度、高强度的的信号屏蔽孔。
3、玻璃性质可通过配方调整,在玻璃中加入降损掺杂剂,使玻璃基板高频介电损耗降低,提高通孔对信号的隔离效果。
4、用可光刻玻璃制作的通孔侧壁粗糙度低,能达到制作信号屏蔽孔的要求。
5、用可光刻玻璃能制作出高密度的信号屏蔽孔,保证信号高性能传输的同时能满足小型化的要求。
6、可光刻玻璃能制作出直径50微米以下的通孔,且通孔精度高,通孔深径比可达10:1以上,表面金属布线线宽可精确到微米级,高密度的微细通孔金属化后能进行信号的高隔离传输。
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