[实用新型]异质结太阳能电池片、叠瓦组件有效
申请号: | 201922079511.8 | 申请日: | 2019-11-27 |
公开(公告)号: | CN210866201U | 公开(公告)日: | 2020-06-26 |
发明(设计)人: | 王秀鹏;王月斌;蒋卫朋;余义 | 申请(专利权)人: | 成都晔凡科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0376;H01L31/077;H01L31/20 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 刘迎春 |
地址: | 610041 四川省成都市高新区*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 异质结 太阳能电池 组件 | ||
1.一种异质结太阳能电池片,所述异质结太阳能电池片包括基体片、设置在所述基体片的顶表面上的正电极和设置在所述基体片的底表面上的背电极,其特征在于,所述基体片包括:
中心层,所述中心层包括:
单晶硅衬底层;
本征非晶硅薄膜层,所述本征非晶硅薄膜层设置在所述单晶硅衬底层的顶侧和底侧,且位于所述单晶硅衬底层的顶侧和底侧的所述本征非晶硅薄膜层均为至少两层;
N型非晶硅薄膜层和P型非晶硅薄膜层,所述N型非晶硅薄膜层设置在所述中心层的顶侧,所述P型非晶硅薄膜层设置在所述中心层的底侧;以及
透光导电层,所述透光导电层设置在所述N型非晶硅薄膜层的顶侧和所述P型非晶硅薄膜层的底侧。
2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池片,其特征在于,所述衬底层为N型单晶硅衬底层。
3.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池片,其特征在于,至少一部分所述本征非晶硅薄膜层是经过氢气处理的本征非晶硅薄膜层。
4.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池片,其特征在于,在自所述中心层起指向所述正电极的方向上,各个所述N型非晶硅薄膜层以掺杂浓度递增的方式排布;在自所述中心层起指向所述背电极的方向上,各个所述P型非晶硅薄膜层以掺杂浓度递增的方式排布。
5.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池片,其特征在于,位于所述N型非晶硅薄膜层顶侧和位于所述P型非晶硅薄膜层底侧的所述透光导电层均为多个,所述多个透光导电层具有不同的透光性,并且在自所述中心层到所述正电极的方向上和自所述中心层到所述背电极的方向上,各个所述透光导电层以透光性递增的方式排布。
6.一种叠瓦组件,其特征在于,所述叠瓦组件由按照权利要求1-5中任意一项所述的异质结太阳能电池片以叠瓦方式连接而成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的