[实用新型]具有多种隧道结结构的背接触太阳能电池

权利要求书

1.一种具有多种隧道结结构的背接触太阳能电池，包括N型晶体硅基体，其特征在于：

所述N型晶体硅基体的前表面包含浅掺杂的n+表面场和钝化减反射薄膜；

所述N型晶体硅基体的背表面包含P型发射极区域、N型背表面场区域、以及凹槽结构；所述P型发射极区域位于所述凹槽结构之中，所述N型背表面场区域位于所述凹槽结构之上；

所述N型背表面场区域从内到外依次包括隧穿SiO_X层、n+poly层、氧化层、n+poly层、隧穿SiO_X层、以及p+poly层；其中，

所述SiO_X层与n+poly层在N型背表面场区域形成c-Si/SiO_X/n+poly隧道结，氧化层与n+poly层在N型背表面场区域形成n+poly/Oxide/n+poly隧道结，隧穿SiO_X层与p+poly层在N型背表面场区域形成n+poly/SiO_X/p+poly隧道结；

所述P型发射极区域从内到外依次包括隧穿SiOx层和p+poly层；所述SiO_X层与p+poly层在P型发射极区域形成c-Si/SiO_X/p+poly隧道结；

所述P型发射极区域设置有P型金属电极，所述N型背表面场区域设置有N型金属电极。

2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述P型发射极区域的宽度为0.9～1.8mm，N型背表面场区域的宽度为0.6～1.4mm。

3.根据权利要求1或2所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述N型晶体硅基体的前表面和后表面均设置有叠层介质膜；其中，

所述N型晶体硅基体的前表面设置有SiO₂/SiN_X叠层钝化减反射薄膜，SiO₂层的厚度为3～15nm，SiN_X层的厚度为60～80nm；

所述N型晶体硅基体的背表面设置有SiO_X、SiN_X、或Al₂O₃中任意两种的叠层钝化减反射薄膜；或所述N型晶体硅基体的背表面设置有SiO_X、SiN_X、以及Al₂O₃三种的叠层钝化减反射薄膜。

4.根据权利要求1或2所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述凹槽结构为弧形凹槽结构，其最大宽度为0.9～1.8mm，深度为3～10μm。

5.根据权利要求1或2所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述c-Si/SiO_X/n+poly隧道结、以及c-Si/SiO_X/p+poly隧道结中的SiO_X为隧穿氧化层，其厚度为0.5-3.5nm。

6.根据权利要求1或2所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述n+poly/Oxide/n+poly隧道结中的Oxide为氧化物层，其厚度为2.0-15nm。

7.根据权利要求1或2所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述c-Si/SiO_X/n+poly隧道结、以及n+poly/Oxide/n+poly隧道结中的n+poly均为磷掺杂的多晶硅层，其厚度为50-300nm。