[实用新型]一种基于光子增强热电子发射的高温太阳能光电转化结构有效
| 申请号： | 201922090727.4 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN211150576U | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 杨阳;徐鹏;曹伟伟;朱炳利;陈震;白永林;王博;秦君军;白晓红 | 申请（专利权）人： | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H01L31/072 | 分类号： | H01L31/072;H01L31/0264 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 史晓丽 |
| 地址： | 710119 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 光子 增强 电子 发射 高温 太阳能 光电 转化 结构 | ||
1.一种基于光子增强热电子发射的高温太阳能光电转化结构，其特征在于：包括由上至下依次设置的正电极层(1)、吸收层(3)、势垒层(4)和负电极层(5)；
所述吸收层(3)采用禁带宽度为0.8-2.1eV的半导体材料；
所述势垒层(4)采用禁带宽度大于吸收层(3)的半导体材料；所述势垒层(4)与吸收层(3)界面处的导带势垒小于价带势垒；
所述负电极层(5)为采用金属材料；
所述正电极层(1)采用金属材料，正电极层(1)与吸收层(3)部分重叠；
或着，所述正电极层(1)采用整面或栅条结构的透明金属氧化物导电膜层材料。
2.如权利要求1所述一种基于光子增强热电子发射的高温太阳能光电转化结构，其特征在于：所述正电极层(1)与吸收层(3)之间还设有透光的缓冲层(2)。
3.如权利要求1或2所述一种基于光子增强热电子发射的高温太阳能光电转化结构，其特征在于：所述吸收层(3)采用P型重掺杂半导体材料。
4.如权利要求3所述一种基于光子增强热电子发射的高温太阳能光电转化结构，其特征在于：所述势垒层(4)的厚度为10-100nm。
5.如权利要求4所述一种基于光子增强热电子发射的高温太阳能光电转化结构，其特征在于：所述正电极层(1)上方设有聚光装置。
6.如权利要求5所述一种基于光子增强热电子发射的高温太阳能光电转化结构，其特征在于：所述吸收层(3)采用GaAs、CdTe、GaN或Si，对应的所述势垒层(4)采用AlGaAs、CdZnTe、AlGaN或金刚石。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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