[实用新型]一种Y型过压保护器有效
申请号: | 201922091784.4 | 申请日: | 2019-11-28 |
公开(公告)号: | CN210743948U | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 陈俊标;苏亮;沈一舟 | 申请(专利权)人: | 江苏东晨电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/82 |
代理公司: | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人: | 尹慧晶 |
地址: | 214205 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 保护 | ||
1.一种Y型过压保护器,其特征在于:该保护器包括衬底(1)以及至少三个单向放电管元胞,各单向放电管元胞的外周均布置有深扩散硼区P+(2),各单向放电管元胞均包括布置于衬底(1)上表面的第一硼基区P(3)和布置于衬底(1)下表面、且间隔设置的第二硼基区P(4)和第一磷区N+(5),前述第一硼基区P(3)的内部布置有第二磷区N+(6),外部布置有第三磷区N+(7),前述第二磷区N+(6)内布置有若干个短路孔(8)。
2.根据权利要求1所述的Y型过压保护器,其特征是所述的深扩散硼区P+(2)和第三磷区N+(7)均为环状结构,与第二磷区N+(6)同心设置。
3.根据权利要求1所述的Y型过压保护器,其特征是所述的第二磷区N+(6)与第一硼基区P(3)均为长方形,且同心设置,第二磷区N+(6)为第一硼基区P(3)面积的3/4-4/5。
4.根据权利要求1所述的Y型过压保护器,其特征是所述的三个单向放电管元胞等分分布;衬底(1)下表面的第二硼基区P(4)和第一磷区N+(5)对称分布。
5.根据权利要求1所述的Y型过压保护器,其特征是第一磷区N+(5)、第二磷区N+(6)和第三磷区N+(7)的结深均为10~15μm。
6.根据权利要求1所述的Y型过压保护器,其特征是第一硼基区P(3)、第二硼基区P(4)和深扩散硼区P+(2)的结深均为25~30μm。
7.根据权利要求1所述的Y型过压保护器,其特征是的第三磷区N+(7)的两侧长边均具有一凸起区域(9),该凸起区域(9)与第一硼基区P(3)的对应侧边部分交叠,前述凸起区域(9)的长度为对应侧边长度的1/3-1/2。
8.根据权利要求1所述的Y型过压保护器,其特征是短路孔(8)在第二磷区N+(6)内按固定间隔均匀布置。
9.根据权利要求1所述的Y型过压保护器,其特征是第一硼基区P(3)和第二硼基区P(4)的外侧均设有金属层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的