[实用新型]一种离子注入设备

说明书

本实用新型公开了一种离子注入设备，包括制程腔室和离子注入装置，所述离子注入装置与所述制程腔室的离子注入口相连通以向所述制程腔室内发射离子束，以及用于将掩膜板传送至所述制程腔室内的第一传送装置；还包括用于将至少两基板传送至所述制程腔室内的至少两第二传送装置，一第二传送装置对应传送一基板，所述至少两基板在所述制程腔室内于所述掩膜板背向所述离子注入口的一侧相间隔层叠。该离子注入设备可提高离子注入的效率。

技术领域

本实用新型涉及离子注入技术，尤其涉及一种基板锁扣载具和离子注入设备。

背景技术

LTPS-TFT（低温多晶硅薄膜晶体管）具有较高的载流子迁移率与高输出电流等特性，常用于高分辨率显示器上。在LTPS-TFT的制程工艺中，有源层需要进行离子掺杂以形成掺杂区域，达到改善局部性能的目的。在离子掺杂工艺中，一般采用光刻胶覆盖基板上的有源层，然后对光刻胶进行曝光显影，以露出有源层的待掺杂区域，然后才能将离子注入到预定的待掺杂区域。但是，光刻胶的涂布、曝光、刻蚀及显影和脱膜等需要多道制程，工序复杂，导致生产效率低下，生产成本高，且离子束作用在光刻胶上会导致光刻胶的表面硬化、灰化，增加了最后对光刻胶进行脱膜的难度。

在公开号为CN107346724A的专利文件中公开了一种离子注入设备和离子注入方法，其直接在制程腔室的预定工位上将掩膜板和待掺杂基板进行对位，利用掩膜板上的开口区露出待掺杂基板的掺杂区、非开口区遮挡待掺杂基板的非掺杂区来精准注入离子，节省掉了光刻胶的涂布、曝光、刻蚀及显影和脱膜等需要多道制程。

但是，该离子注入设备每完成一块待掺杂基板的离子注入后，都需要将已待掺杂基板送出制程腔室，然后更换新的待掺杂基板，将新的待掺杂基板送入制程腔室后才开始下一块待掺杂基板的离子注入，这个过程造成了时间上的浪费，不利于提高效率。

实用新型内容

为了解决上述现有技术的不足，本实用新型提供一种离子注入设备，可提高离子注入的效率。

本实用新型所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：

一种离子注入设备，包括制程腔室和离子注入装置，所述离子注入装置与所述制程腔室的离子注入口相连通以向所述制程腔室内发射离子束，以及用于将掩膜板传送至所述制程腔室内的第一传送装置；还包括用于将至少两基板传送至所述制程腔室内的至少两第二传送装置，一第二传送装置对应传送一基板，所述至少两基板在所述制程腔室内于所述掩膜板背向所述离子注入口的一侧相间隔层叠。

进一步地，所述至少两第二传送装置沿相同方向将对应的基板传送至所述制程腔室内。

进一步地，所述第二传送装置包括第二移动机构和设于所述第二移动机构上的载具机构，其中

所述载具机构用于承载所述基板；

所述第二移动机构用于带动所述载具机构移动，以将所述基板传送至所述制程腔室内。

进一步地，所述载具机构用于具有放置所述基板的承载凹槽。

进一步地，所述第一传送装置包括第一移动机构和设于所述第一移动机构上的抓取机构，其中

所述抓取机构用于抓取所述掩膜板；

所述第一移动机构用于带动所述抓取机构移动，以将所述掩膜板传送至所述制程腔室内。

进一步地，所述抓取机构包括若干吸盘和/或若干电磁铁。

进一步地，还包括对位感测机构，用于对所述掩膜板和基板之间的对位标进行感测识别。

进一步地，所述对位感测机构设置于所述第一传送装置上。

进一步地，所述对位感测机构包括若干对位摄像头和/或若干对位传感器。