[实用新型]一种显示基板、显示装置有效
申请号: | 201922093409.3 | 申请日: | 2019-11-28 |
公开(公告)号: | CN210403734U | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 方金钢;丁录科;刘军;李广耀;周斌 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;胡影 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 显示装置 | ||
本实用新型提供一种显示基板、显示装置,涉及显示技术领域,为解决显示器件在采用氧化物晶体管时,由于在显示器件中设置了遮光层导致氧化晶体管的阈值电压容易发生漂移,从而影响显示器件的均一性的问题。所述显示基板包括:基底,设置在基底上的遮光层,以及设置在遮光层背向基底的一侧的薄膜晶体管阵列层;遮光层包括多个遮光图形;薄膜晶体管阵列层包括阵列分布的多个子像素驱动电路,子像素驱动电路包括的驱动晶体管与遮光图形一一对应,驱动晶体管的有源图形在基底上的正投影,与对应的遮光图形在基底上的正投影至少部分重叠,遮光图形与对应的驱动晶体管的输入电极耦接。本实用新型提供的显示基板用于显示画面。
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板、显示装置。
背景技术
有源矩阵有机发光二极管(英文:Active-matrix organic light-emittingdiode,简称:AMOLED)显示器件,因其具有高响应速度、高色域、高对比度,广视角、超薄、低功耗等优点成为现代显示器研究的热点。
目前,AMOLED显示器件包括的子像素驱动电路中,驱动晶体管的结构主要包括底栅结构和顶栅结构,底栅结构的驱动晶体管中,在垂直于显示器件的基底的方向上,源电极和漏电极与栅极之间的交叠面积较大,产生的寄生电容较大,导致输出信号延迟和波形变形失真。顶栅结构的驱动晶体管中,由于源电极和漏电极与栅极之间存在较厚的层间绝缘层,有效减小了寄生电容,减少了信号延迟和失真,更有利于提升显示器件的显示效果。
而且,为了进一步提升显示器件的显示效果,相关技术中采用了氧化物晶体管作为所述驱动晶体管,但这种氧化物晶体管中的有源层受光照影响容易失效,而相关技术中为了避免氧化物晶体管受光照影响失效,在显示器件中设置了遮光层,但是在氧化物晶体管的源极和漏极之间加载的电压变化时,受到该遮光层的影响,氧化晶体管的阈值电压会发生漂移,从而影响显示器件的均一性。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种显示基板、显示装置,用于解决显示器件在采用氧化物晶体管时,由于在显示器件中设置了遮光层导致氧化晶体管的阈值电压容易发生漂移,从而影响显示器件的均一性的问题。
为了实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
本实用新型的第一方面提供一种显示基板,包括:基底,设置在所述基底上的遮光层,以及设置在所述遮光层背向所述基底的一侧的薄膜晶体管阵列层;
所述遮光层包括多个遮光图形;
所述薄膜晶体管阵列层包括阵列分布的多个子像素驱动电路,所述子像素驱动电路包括的驱动晶体管与所述遮光图形一一对应,所述驱动晶体管的有源图形在所述基底上的正投影,与对应的所述遮光图形在所述基底上的正投影至少部分重叠,所述遮光图形与对应的所述驱动晶体管的输入电极耦接。
可选的,所述驱动晶体管的有源图形在所述基底上的正投影,位于对应的所述遮光图形在所述基底上的正投影的内部。
可选的,所述驱动晶体管包括:沿远离所述基底的方向上,依次层叠设置的所述有源图形、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层和源漏电极层;
所述有源图形包括相对设置的第一有源子图形和第二有源子图形,以及位于所述第一有源子图形和所述第二有源子图形之间,且分别与所述第一有源子图形和所述第二有源子图形耦接的第三有源子图形,所述第一有源子图形和所述第二有源子图形的导电性能优于所述第三有源子图形的导电性能;
所述栅极绝缘层在所述基底上的正投影覆盖所述第三有源子图形在所述基底上的正投影;
所述层间绝缘层上设置有第一过孔和第二过孔;
所述源漏电极层包括输入电极和输出电极,所述输入电极通过所述第一过孔与所述第一有源子图形和对应的所述遮光图形耦接,所述输出电极通过所述第二过孔与所述第二有源子图形耦接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的