[实用新型]一种集成电路和电子设备

说明书

本实用新型公开了一种集成电路和电子设备，能够提供一种具有较佳面积效率的集成电路。此集成电路可以为可变电阻式随机存取存储器，其包括以行列方向配列的多个电阻式存储记忆胞，所述的电阻式存储记忆胞包括可变阻抗单元和与上述可变阻抗单元耦接的开关单元；所述每列方向的可变阻抗单元分别与对应的所述源极线耦接，所述源极线包括第一源极线与第二源极线，所述第一源极线与所述第二源极线位于不同配线层。

技术领域

本实用新型涉及集成电路，尤其涉及一种存储器和电子设备。

背景技术

在集成电路领域中，随着发展，集成电路变为更小、更紧密且更拥挤。给定面积里所形成及安置的电子组件愈来愈多，以致装置有可能更小，包括更小的存储单元、及用于操作该存储单元的互连件。然而，随着电子组件以更靠近的方式安置在一起，紧密靠近会导致不期望的效应。因此，希望提供集成电路在可用空间的使用上更有效率的结构。

其中，电阻式随机存取存储器(RRAM，Resistive Random Access Memory)，是一种新型技术。RRAM由于结合了SRAM，DRAM和FLASH 的优点于一身，可以实现非易失性、超高密度、低功耗、低成本和高比例缩小的特点，被产业界认为是最有可能的下一代非易失性存储器 (NVM)。新兴的NVM由于其相对较大的带宽和迅速增长的容量，可以在AI芯片的存算一体技术中发挥至关重要的作用。

典型的RRAM的基本结构为底电极、电阻转态层及顶电极构成的一金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal,MIM)叠层结构组成，电阻转态层作为离子传输和存储介质。在RRAM多种阻变原理模型中，最为广泛接受的是导电细丝模型，即在绝缘介质膜中形成了树枝状的导电细丝。存储器的置位(SET，写l即高阻到低阻的转变过程)和复位(RESET，写 0即低阻到高阻的转变过程)引起导电细丝的连接和断裂，使薄膜的电阻发生低阻和高阻间的转化，以该电阻性材料层的电阻值表示对逻辑“0”数据位或逻辑“1”数据位的存储，并利用这种电阻差异来存储数据。

如图1所示，其为现有的电阻式随机存取存储器部分结构的平面图。在此双极性类型中，是对应位线以同一列可变阻抗单元共用相应源极线的方式，并且位线和源极线之间则具有可以相互置换的对称性。

然而在这种存储器阵列结构中，由于对于每个位线配置专用的源极线，所以在形成高积体密度存储器的情况下，源极线就成了存储器阵列在AA(active area ordiffusion)宽度方向上尺寸微缩的障碍，因此将影响电阻式随机存取存储器积体密度(integration density)的提高。

本实用新型的目的，即在于能够提供一种具有较佳面积效率的集成电路。

实用新型内容

本实用新型提供一种集成电路，包括：多个集成电路单元和多条源极线，其中，所述多条源极线包括位于不同层的第一源极线与第二源极线，所述第一源极线与所述第二源极线位于不同配线层，所述集成电路单元耦接至所述第一源极线或所述第二源极线。

本实用新型还提供一种存储器，所述的存储器包括：多个存储单元和多条源极线，其中，多条源极线包括位于不同层的第一源极线与第二源极线，第一源极线与第二源极线位于不同配线层，存储单元耦接至第一源极线或第二源极线；在垂直方向上的投影至少有一部分相重叠的第一源极线与第二源极线分别耦接至位于第一源极线与第二源极线的不同侧的存储单元。

本实用新型还提供一种电阻式随机存取存储器，所述电阻式随机存取存储器包括：以行列方向配列的多个电阻式存储记忆胞，所述的每一电阻式存储记忆胞包括可变阻抗单元和与上述可变阻抗单元耦接的开关单元；所述源极线包括第一源极线与第二源极线，所述第一源极线与所述第二源极线位于不同配线层；

所述的第一源极线位于第一配线层，所述的第二源极线位于上述第一配线层上层的第二配线层；

所述第一源极线及第二源极线分别与不同侧的可变阻抗单元耦接；