[实用新型]量测组件

权利要求书

1.一种量测组件，用于量测高电子迁移率晶体管的特性，其特征在于，包括：

探针，具有探针本体及设置在所述探针本体一端的尖端，所述探针本体具有第一导电金属及披覆于所述第一导电金属的绝缘层，所述尖端为接触金属；以及

探棒，具有第二导电金属及披覆于所述第二导电金属的第三金属层；

其中，所述探针的所述尖端设置于所述高电子迁移率晶体管的氮化镓层，而所述探棒与所述高电子迁移率晶体管的P型氮化镓接触。

2.如权利要求1所述的量测组件，其特征在于所述第一导电金属及所述第二导电金属可以是铝、金、铂或铜。

3.如权利要求1所述的量测组件，其特征在于所述第三金属层为钛、钨或镍。

4.如权利要求1所述的量测组件，其特征在于所述接触金属为钛或钽。

5.如权利要求1所述的量测组件，其特征在于所述绝缘层为氧化物。

6.如权利要求1所述的量测组件，其特征在于所述绝缘层的厚度为10μm～100μm。

7.如权利要求1所述的量测组件，其特征在于所述第三金属层的厚度为1μm～3μm。

8.如权利要求1所述的量测组件，其特征在于所述接触金属的厚度为1μm～3μm。

9.如权利要求1所述的量测组件，其特征在于所述探针的所述尖端的最长长度为0.5μm～1μm。

10.如权利要求1所述的量测组件，其特征在于更包括马达，所述马达分别与所述探针及所述探棒连接且对所述探针及所述探棒提供朝向所述高电子迁移率晶体管的下压力。