[实用新型]一种过流保护电路

权利要求书

1.一种过流保护电路，其特征在于，包括：桥式整流电路、电机负载接口电路、MOS管输出及电流采样电路、采样高压隔离电路、MOS管驱动和保护电路、过流保护比较电路、MCU控制电路、过流保护基准电路、光耦隔离电路I、光耦隔离电路II、光耦隔离电路III；所述的桥式整流电路接交流电，经桥式整流电路整流后输入电机负载接口电路；电机负载接口电路分别与采样高压隔离电路、MOS管输出及电流采样电路连接；MOS管驱动和保护电路分别与采样高压隔离电路、MOS管输出及电流采样电路、过流保护比较电路、光耦隔离电路I相连接；过流保护比较电路、光耦隔离电路III、MCU控制电路依次相接；MCU控制电路、光耦隔离电路II、过流保护基准电路、过流保护比较电路依次相接；所述的MCU控制电路通过光耦隔离电路I与MOS管驱动和保护电路相接。

2.根据权利要求1所述的一种过流保护电路，其特征在于：所述的桥式整流电路包括保险管F1、压敏电阻ZR1、EMC电容C1、整流桥堆D1；所述的压敏电阻ZR1一端、EMC电容C1一端、整流桥堆D1一端分别通过保险管F1与交流火线接口相接，压敏电阻ZR1另一端、EMC电容C1另一端、整流桥堆D1另一端分别与交流零线接口相接相接；所述的压敏电阻ZR1、EMC电容C1、整流桥堆D1为并联关系；保险管F1起到短路保护作用，压敏电阻ZR1和EMC电容C14用于增强电路的电磁兼容性；整流桥堆D1用于将交流电变成直流电。

3.根据权利要求1所述的一种过流保护电路，其特征在于：所述的电机负载接口电路包括继电器J1、继电器J2、RS1M二极管D2、S14L二极管D3、S14L二极管D4；继电器J1、继电器J2控制电机的正反转和停止；RS1M二极管D2、S14L二极管D3、S14L二极管D4为续流二极管，RS1M二极管D2给外接的直流电机续流，S14L二极管D3、S14L二极管D4分别给继电器J1和继电器J2续流，给感性负载关断时提供反向电流通路。

4.根据权利要求1所述的一种过流保护电路，其特征在于：所述的MOS管输出及电流采样电路包括MOS管Q6、稳压管D7、电容C4、电阻R19、电阻R90；MOS管Q6的漏极连接电容C4和输出端OUT，MOS管Q6栅极连接稳压管D7和电阻R19，MOS管Q6源极连接电阻R90；稳压管D7用于钳位MOS管Q6的栅极电压，保证驱动电压不高于18V；电容C4为MOS管Q6漏极的开关缓冲电容；所述的电阻R90是主采样电阻，MOS管Q6是辅助采样电路，采样信号从OUT端输出。

5.根据权利要求1所述的一种过流保护电路，其特征在于：所述的采样高压隔离电路包括二极管D6和电阻R10；二极管D6和电阻R10相互连接。

6.根据权利要求1所述的一种过流保护电路，其特征在于：所述的MOS管驱动和保护电路包括C8050三极管Q8、C8050三极管Q9、C8050三极管Q10、C8050三极管Q11、C8050三极管Q3、C8550三级管Q12、电阻R9、电阻R37、电阻R83、电阻R11、电阻R14；电阻R17连接在C8050三极管Q8的基极，C8050三极管Q8的集电极分别接电阻R9、电阻R37和电阻R83；电阻R37还与C8050三极管Q9的基极连接，C8050三极管Q9的集电极分别接电阻R10、电阻R24和二极管D6，其中电阻R24连接到过流保护比较电路的正输入端，二极管D6接到MOS管Q6的集电极；电阻R83还与C8050三极管Q10的基极连接，C8050三极管Q10的集电极分别与电阻R11，C8050三极管Q11，C8050三极管Q3和C8050三极管Q12连接；C8050三极管Q11的基极与过流保护比较电路的输出端电阻R25相接；C8050三极管Q3和C8050三极管Q12组成推挽电路，通过电阻R14输出到MOS管Q6的栅极。

7.根据权利要求1所述的一种过流保护电路，其特征在于：所述的过流保护比较电路包括比较器IC4A、电阻R24、电阻R25、电容C7；所述的比较器IC4A负输入端接过流保护基准电路的电容C6，IC4A正输入端分别接电容C7与电阻R24，IC4A输出端接电阻R25。