[实用新型]半导体结构及电子装置有效
申请号: | 201922101282.5 | 申请日: | 2019-11-29 |
公开(公告)号: | CN210640247U | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
发明(设计)人: | 庄凌艺 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L25/18 | 分类号: | H01L25/18;H01L23/31;H01L23/552;H01L21/56 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 阚梓瑄;孙宝海 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 结构 电子 装置 | ||
1.一种半导体结构,其特征在于,所述半导体结构包括:
基板,具有相对设置的第三表面和第四表面,所述基板开设有贯通所述第三表面和所述第四表面的窗口;
芯片,具有相对设置的第一表面和第二表面,所述芯片以第一表面固定于所述基板的第四表面并覆盖所述窗口,所述第一表面为所述芯片的功能面;
绝缘层,设于所述第二表面并包覆于所述第二表面;以及
电磁屏蔽罩,包覆于所述绝缘层和所述芯片的侧面。
2.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述绝缘层设于所述第二表面和所述芯片的侧面并包覆于所述第二表面和所述芯片的侧面。
3.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述绝缘层被配置为由所述芯片自身包含的硅经氧化反应而形成,所述绝缘层的材质包含二氧化硅。
4.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述绝缘层被配置为由绝缘材料沉积于所述芯片的第二表面和侧面而形成。
5.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述电磁屏蔽罩还设于所述基板的第四表面的未被所述芯片覆盖的部分,所述第四表面的未被所述芯片覆盖的该部分无电路走线而形成无讯号电路区。
6.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述半导体结构还包括:
胶层,设于所述第四表面,并被配置为使所述芯片通过所述胶层固定于所述基板;
其中,所述胶层的边缘沿所述第四表面凸出于所述芯片侧面,所述电磁屏蔽罩还设于所述胶层的凸出于所述芯片侧面的部分。
7.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述半导体结构还包括:
第一塑封层,包覆于所述芯片的第二表面和侧面以及所述基板的第四表面的未被所述芯片覆盖的部分,所述第一塑封层位于所述电磁屏蔽罩的相对所述芯片的外侧;
第二塑封层,包覆于所述芯片的第一表面的对应于所述窗口的部分和所述基板的第三表面的邻接于所述窗口的部分,所述第二塑封层填充所述窗口;以及
金属引线,穿设于所述窗口并连接于所述第三表面与所述第一表面之间。
8.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述基板开设有呈阵列状分布的多个所述窗口,所述半导体结构包括多个所述芯片,多个所述芯片分别与多个所述窗口相对应地分布;其中,所述电磁屏蔽罩设于各所述芯片的第二表面和侧面以及所述基板的第四表面的未被所述芯片覆盖的部分。
9.一种电子装置,其特征在于,所述电子装置包括权利要求1~8任一项所述的半导体结构。
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