[实用新型]一种开关控制电路

说明书

本实用新型涉及电学领域，公开了一种开关控制电路，该开关控制电路包括：开关电路、第一电阻、场效应管、输入电源和第一电容；所述开关电路连接所述场效应管的栅极，所述开关电路用于控制所述场效应管的导通和截止；所述第一电阻的一端连接所述开关电路、另一端连接所述输入电源和所述场效应管的输入端，所述场效应管的输出端为所述开关控制电路的输出端，所述第一电容的一端连接所述输入电源，所述第一电容的另一端连接所述场效应管的栅极。本实用新型实施方式提供的开关控制电路可以避免场效应管导通产生的励磁涌流对电路及元器件的损害。

技术领域

本实用新型涉及电学领域，特别涉及一种开关控制电路。

背景技术

在开关控制电路中，可以使用场效应管作为电路的开关。然而，目前采用场效应管作为开关的电路中，在场效应管导通的一瞬间，电流较大，存在励磁涌流(inrush curren)，容易造成电路的异常甚至损坏。

实用新型内容

本实用新型实施方式的目的在于提供一种开关控制电路，可以减少励磁涌流，避免励磁涌流对电路及元器件的损害。

为解决上述技术问题，本实用新型的实施方式提供了一种开关控制电路，包括：开关电路、第一电阻、场效应管、输入电源和第一电容；所述开关电路连接所述场效应管的栅极，所述开关电路用于控制所述场效应管的导通和截止；所述第一电阻的一端连接所述开关电路、另一端连接所述输入电源和所述场效应管的输入端，所述场效应管的输出端为所述开关控制电路的输出端，所述第一电容的一端连接所述输入电源，所述第一电容的另一端连接所述场效应管的栅极。

本实用新型实施方式相对于现有技术而言，通过在开关控制电路中设置第一电容，使得场效应管在第一电容的充电过程逐渐导通，避免场效应管在导通一瞬间产生的励磁涌流对电路及元器件的损害。

另外，还包括第二电阻，所述第二电阻的一端连接所述场效应管的栅极，所述第二电阻的另一端连接所述开关电路。设置第二电阻，通过第二电阻与第一电阻的分压导通场效应管。

另外，所述开关电路包括一开关，所述开关的一端连接所述第二电阻，所述开关的另一端接地。使用开关作为开关电路，可使开关电路比较简单。

另外，所述开关电路包括电平输入开关和三极管，所述电平输入开关的一端连接所述三极管的基极，所述电平输入开关的另一端连接电平输入，所述三极管的集电极连接所述第二电阻，所述三极管的发射极接地。通过三极管来控制场效应管的导通，可使开关电路的控制更加精确，提高开关电路的使用寿命。

另外，所述开关电路还包括第二电容，所述第二电容的一端连接所述三极管的基极，所述第二电容的另一端接地。第二电容可稳定三极管的基极电压。

另外，还包括第三电容，所述第三电容的一端连接所述场效应管的栅极，所述第三电容的另一端接地。第三电容可稳定场效应管栅极的电压。

另外，所述输入电源为直流电源。

另外，所述场效应管为金属-氧化物半导体场效应管。

另外，所述场效应管为P型金属-氧化物半导体场效应管，所述场效应管的输入端为所述P型金属-氧化物半导体场效应管的源极，所述场效应管的输出端为所述P型金属-氧化物半导体场效应管的漏极。

另外，所述场效应管为N型金属-氧化物半导体场效应管，所述场效应管的输入端为所述N型金属-氧化物半导体场效应管的漏极，所述场效应管的输出端为所述N型金属-氧化物半导体场效应管的源极。

附图说明

一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定,附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。

图1是本实用新型实施方式中开关控制电路的结构示意图；