[实用新型]复合铁氧体超宽带环行器

权利要求书

1.一种复合铁氧体超宽带环行器，其特征在于：包括作为拼接载板的高磁导率金属片、以及设置在高磁导率金属片上的高饱和磁化强度铁氧体、三个低饱和磁化强度铁氧体、以及数量与低饱和磁化强度铁氧体相等并与其相连接的匹配电路介质，高饱和磁化强度铁氧体设置在高磁导率金属片中部，所有相连接的低饱和磁化强度铁氧体及匹配电路介质绕高饱和磁化强度铁氧体周向布置，高饱和磁化强度铁氧体、低饱和磁化强度铁氧体、匹配电路介质上设有微带电路或带线电路，高饱和磁化强度铁氧体上远离高磁导率金属片的一侧设有外偏置稳恒磁场源，高饱和磁化强度铁氧体上设有三个用于和低饱和磁化强度铁氧体无缝拼接的平直切割边，且互成120°；低饱和磁化强度铁氧体设有两个分别用于与高饱和磁化强度铁氧体和匹配电路介质无缝拼接的平直切割边；匹配电路介质设有一个与低饱和磁化强度铁氧体对接的平直切割边；当高饱和磁化强度铁氧体、低饱和磁化强度铁氧体、匹配电路介质上设有微带电路时，相邻的微带电路采用金属搭接物相互搭接。

2.如权利要求1所述的一种复合铁氧体超宽带环行器，其特征在于：所述高饱和磁化强度铁氧体的饱和磁化强度的值为f_上边频/P，单位：Gauss；f _上边频为超宽带的上边频，单位MHz，P值为6.5～4.5之间。

3.如权利要求1所述的一种复合铁氧体超宽带环行器，其特征在于：所述低饱和磁化强度铁氧体的饱和磁化强度的值为f_下边频/P＇，单位：Gauss；f_下边频为超宽带的下边频，单位MHz，P＇值为3～4之间。

4.如权利要求2或3所述的一种复合铁氧体超宽带环行器，其特征在于：所述高磁导率金属片表面设有金属镀层。

5.如权利要求4所述的一种复合铁氧体超宽带环行器，其特征在于：所述金属镀层为镍或金的镀层。

6.如权利要求2或3所述的一种复合铁氧体超宽带环行器，其特征在于：所述外偏置稳恒磁场包括从下往上设置在高饱和磁化强度铁氧体上的第一永磁体和第二永磁体，其中第一永磁体与第二永磁体接触面的尺寸比第二永磁体小。

7.如权利要求6所述的一种复合铁氧体超宽带环行器，其特征在于：所述第一永磁体与高饱和磁化强度铁氧体间设有绝缘垫。