[实用新型]一种基于二硒化锡可饱和吸收体的锁模脉冲激光器

权利要求书

1.一种基于二硒化锡可饱和吸收体的锁模脉冲激光器，其特征在于：包括半导体激光器、耦合透镜组、Yb:SYS晶体，第一平凹镜、第二平凹镜、平面反射镜、二硒化锡可饱和吸收体和输出镜；所述半导体激光器发射的连续光中心波长为979nm，所述连续光依次透过耦合透镜组和Yb:SYS晶体后入射到第一平凹镜，经第一平凹镜反射至第二平凹镜，然后经第二平凹镜反射至平面反射镜，再经平面反射镜反射至二硒化锡可饱和吸收体，反射光透过二硒化锡可饱和吸收体后经输出镜输出波长为1066nm的锁模脉冲激光。

2.根据权利要求1所述基于二硒化锡可饱和吸收体的锁模脉冲激光器，其特征在于：所述Yb:SYS晶体朝向耦合透镜组的一面镀有979nm增透膜和1066nm高反膜，朝向第一平凹镜的一面镀有1066nm增透膜。

3.根据权利要求1所述基于二硒化锡可饱和吸收体的锁模脉冲激光器，其特征在于：所述第一平凹镜朝向第二平凹镜的凹面镀有1066nm高反膜。

4.根据权利要求1所述基于二硒化锡可饱和吸收体的锁模脉冲激光器，其特征在于：所述第二平凹镜朝向反射镜的凹面镀有1066nm高反膜。

5.根据权利要求1所述基于二硒化锡可饱和吸收体的锁模脉冲激光器，其特征在于：所述平面反射镜朝向二硒化锡可饱和吸收体的一面镀有1066nm高反膜。

6.根据权利要求1所述基于二硒化锡可饱和吸收体的锁模脉冲激光器，其特征在于：所述输出镜朝向二硒化锡可饱和吸收体的一面镀有1066nm高反膜。

7.根据权利要求6所述基于二硒化锡可饱和吸收体的锁模脉冲激光器，其特征在于：所述输出镜的透射率为5%。