[实用新型]一种防止回流焊虚焊的光敏二极管有效
申请号: | 201922109204.X | 申请日: | 2019-11-29 |
公开(公告)号: | CN211238264U | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 刘承双 | 申请(专利权)人: | 沈阳中光电子有限公司 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/02 |
代理公司: | 北京中强智尚知识产权代理有限公司 11448 | 代理人: | 黄耀威 |
地址: | 110027 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 防止 回流 焊虚焊 光敏 二极管 | ||
本实用新型公开了一种防止回流焊虚焊的光敏二极管,包括封装体以及所述封装体内封装的芯片,所述封装体的侧面穿设有与所述芯片连接的支架引脚;所述支架引脚包括连接部、支撑部和焊接部;所述连接部的一端伸入至所述封装体内与芯片连接,所述连接部的另一端与所述支撑部的一端连接并在连接处形成第一折角,所述支撑部的另一端与所述焊接部的一端连接并在连接处形成第二折角,所述焊接部的另一端沿远离所述支撑部的方向延伸,所述焊接部所在平面位于所述封装体底面所在平面的下方。支架引脚的焊接部设置在封装体底面的下方,使焊接部避免封装体底面的影响,进而焊接部可与锡充分接触,保证二极管与电路板的接触良好。
技术领域
本实用新型涉及电子器件领域,特别涉及一种防止回流焊虚焊的光敏二极管。
背景技术
随着科学技术的发展,贴片二极管的应用越来越广泛,现有技术中贴片二极管的支架引脚底面与封装体的底面平齐,在焊接时容易导致贴片端与锡接触不充分,使贴片二极管与电路板接触不良,导致电路板的性能变差或发生故障。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种防止回流焊虚焊的光敏二极管,以解决在焊接时容易导致贴片端与锡接触不充分,使贴片二极管与电路板接触不良,导致电路板的性能变差或发生故障的问题。
根据本实用新型的实施例,提供了一种防止回流焊虚焊的光敏二极管,包括封装体以及所述封装体内封装的芯片,所述封装体的侧面穿设有与所述芯片连接的支架引脚;
所述支架引脚包括连接部、支撑部和焊接部;所述连接部的一端伸入至所述封装体内与芯片连接,所述连接部的另一端与所述支撑部的一端连接并在连接处形成第一折角,所述支撑部的另一端与所述焊接部的一端连接并在连接处形成第二折角,所述焊接部的另一端沿远离所述支撑部的方向延伸,所述焊接部所在平面位于所述封装体底面所在平面的下方。
具体地,所述焊接部所在平面与所述封装体底面所在平面之间的垂直距离为0.1mm。
具体地,所述第一折角和第二折角为圆弧状弯曲,所述圆弧状弯曲的曲率半径为0.25mm。
具体地,所述焊接部所在平面与封装体底面所在平面平行。
具体地,所述封装体相对的两侧分别设有拔模角,所述封装体上位于所述连接部下方的相对两侧的拔模角为10°;所述封装体上位于所述连接部上方的相对两侧的拔模角为8°。
本实用新型实施例提供了一种防止回流焊虚焊的光敏二极管,支架引脚的焊接部设置在封装体底面的下方,使焊接部避免封装体底面的影响,进而焊接部可与锡充分接触,保证二极管与电路板的接触良好。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型一实施例提供的一种防止回流焊虚焊的光敏二极管的侧视图;
图2为本实用新型一实施例提供的一种防止回流焊虚焊的光敏二极管的俯视图
图3为本实用新型另一实施例提供的一种防止回流焊虚焊的光敏二极管的侧视图。
其中,1-支架引脚,11-连接部,12-第一折角,13-支撑部,14-焊接部,15-第二折角,2-封装体,3-芯片,4-金线。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳中光电子有限公司,未经沈阳中光电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201922109204.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种台灯
- 下一篇:一种磷铁球压制机自动上料装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的