[实用新型]氮化镓MOSFET封装应力应变分布感测结构

权利要求书

1.氮化镓MOSFET封装应力应变分布感测结构，包括芯片、引线框架以及覆盖在芯片、引线框架上的封装层，其特征在于：

所述芯片包括衬底、制作在衬底上的氮化镓MOSFET结构层、制作在衬底底部的压阻、覆盖在衬底底面上的绝缘层以及制作在绝缘层上的电极层，

所述压阻包括至少两个自内而外依次嵌套的压阻环，其中，奇数设置的压阻环下部开有缺口一，偶数设置的压阻环下部开有缺口二，所述缺口一和缺口二错开设置，相邻压阻环之间的横向间距相等以及纵向间距相等；

所述绝缘层用于覆盖具有压阻的衬底底面，绝缘层在与各个压阻环的两端相交的区域制作有绝缘层通孔；

所述电极层包括至少两个压阻引出电极和一接地散热电极，所述压阻引出电极和压阻环一一对应，压阻环的两端为压阻接触区，各个压阻环的一端在对应的绝缘层通孔处与对应的压阻引出电极相连，另一端在对应的绝缘层通孔处与接地散热电极相连，所述接地散热电极环绕各个压阻引出电极；

所述引线框架设在芯片的底部，所述引线框架包括框架接地散热电极、至少两个框架引出电极和至少两个输出电极，所述框架引出电极与输出电极一一对应且相连，

所述压阻引出电极与框架引出电极一一对应且相连，所述接地散热电极与框架接地散热电极相连。

2.根据权利要求1所述的氮化镓MOSFET封装应力应变分布感测结构，其特征在于，所述缺口一设在压阻环的左下部，缺口二设在压阻环的右下部。

3.根据权利要求1所述的氮化镓MOSFET封装应力应变分布感测结构，其特征在于，所述缺口一设在压阻环的右下部，缺口二设在压阻环的左下部。

4.根据权利要求1所述的氮化镓MOSFET封装应力应变分布感测结构，其特征在于，所述衬底的材料为单晶硅。

5.根据权利要求1所述的氮化镓MOSFET封装应力应变分布感测结构，其特征在于，所述压阻的材料为P型掺杂硅。

6.根据权利要求1所述的氮化镓MOSFET封装应力应变分布感测结构，其特征在于，所述压阻接触区的材料为P型重掺杂硅。

7.根据权利要求1所述的氮化镓MOSFET封装应力应变分布感测结构，其特征在于，所述绝缘层的材料为二氧化硅或者氮化硅。

8.根据权利要求1所述的氮化镓MOSFET封装应力应变分布感测结构，其特征在于，所述电极层的材料为金，所述引线框架的材料为铜或者铜合金。

9.根据权利要求1所述的氮化镓MOSFET封装应力应变分布感测结构，其特征在于，所述封装层的材料为环氧树脂或者硅酮。