[实用新型]一种电池防反接保护电路

权利要求书

1.一种电池防反接保护电路，其特征在于，包括检测模块、使能模块、控制模块和开关模块，所述检测模块依次与使能模块、控制模块和开关模块连接，所述检测模块与被测电池连接，用于检测被测电池正接或反接，并向使能模块发送检测信号，所述使能模块向控制模块发送使能信号，所述控制模块接收控制信号和使能信号，以及控制开关模块的工作状态，所述开关模块串联连接在被测电池与测试电路之间。

2.根据权利要求1所述的一种电池防反接保护电路，其特征在于，所述检测模块包括运算放大器，所述运算放大器的正相输入端和反相输入端与所述被测电池的正负极连接，所述运算放大器的输出端与使能模块连接。

3.根据权利要求2所述的一种电池防反接保护电路，其特征在于，所述使能模块包括第一二极管和第二二极管，所述运算放大器的输出端分别与第一二极管的负极和第二二极管的负极连接，所述第一二极管的正极与控制模块连接，所述第二二极管的正极接地。

4.根据权利要求3所述的一种电池防反接保护电路，其特征在于，所述控制模块包括NPN型双极性晶体管和PNP型双极性晶体管；

所述NPN型双极性晶体管的基极分别与第一二极管的正极和控制信号的输出端连接，所述NPN型双极性晶体管的集电极与PNP型双极性晶体管的基极连接，所述NPN型双极性晶体管的发射极接地，所述PNP型双极性晶体管的集电极与开关模块连接，所述PNP型双极性晶体管的发射极连接高电平。

5.根据权利要求3所述的一种电池防反接保护电路，其特征在于，所述控制模块包括第一N沟道场效应晶体管和P沟道场效应晶体管；

所述第一N沟道场效应晶体管的栅极分别与第一二极管的正极和控制信号的输出端连接，所述第一N沟道场效应晶体管的漏极与P沟道场效应晶体管的栅极连接，所述第一N沟道场效应晶体管的源极接地，所述P沟道场效应晶体管的漏极与开关模块连接，所述P沟道场效应晶体管的源极连接高电平。

6.根据权利要求4所述的一种电池防反接保护电路，其特征在于，所述开关模块包括第二N沟道场效应晶体管和第三N沟道场效应晶体管；

所述PNP型双极性晶体管的集电极分别与第二N沟道场效应晶体管的栅极和第三N沟道场效应晶体管的栅极连接，所述第二N沟道场效应晶体管的漏极与测试电路连接，所述第二N沟道场效应晶体管的源极与第三N沟道场效应晶体管的源极连接，所述第三N沟道场效应晶体管的漏极与被测电池连接。

7.根据权利要求5所述的一种电池防反接保护电路，其特征在于，所述开关模块包括第二N沟道场效应晶体管和第三N沟道场效应晶体管；

所述P沟道场效应晶体管的漏极分别与第二N沟道场效应晶体管的栅极和第三N沟道场效应晶体管的栅极连接，所述第二N沟道场效应晶体管的漏极与测试电路连接，所述第二N沟道场效应晶体管的源极与第三N沟道场效应晶体管的源极连接，所述第三N沟道场效应晶体管的漏极与被测电池连接。