[实用新型]一种背钝化激光开槽导电结构有效
申请号: | 201922113260.0 | 申请日: | 2019-11-29 |
公开(公告)号: | CN211125676U | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 田甲;王苗;郝鹏飞;常骞;吴越领;王兆波;刘振芳 | 申请(专利权)人: | 晋能光伏技术有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 镇江京科专利商标代理有限公司 32107 | 代理人: | 朱坤保 |
地址: | 030600 山西省晋中市榆*** | 国省代码: | 山西;14 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 钝化 激光 开槽 导电 结构 | ||
本实用新型公开了一种背钝化激光开槽导电结构。它包括在太阳能电池的钝化膜上平行排布的多行开槽段,每行的各段开槽段之间的间距相等且每行相邻的开槽段之间形成虚线段,每行的每段开槽段均采用3~10个激光光斑相连构成,采用激光光斑相连构成的开槽段形成由激光光斑串接的直线段。采用上述的结构后,不但具有低开孔率特点,能够增加背面钝化层面积2%‑7%,大幅增加了背面钝化膜面积,从而提升了转换效率,另外合理控制了虚线段和直线段的长度和比例,提升了光生载流子的传输收集能力,能够在减少背面激光开槽区域面积即钝化损失的基础上,更有效收集三维尺度光生载流子,实现了在低开孔率的情况下不影响光生载流子的收集的目的。
技术领域
本实用新型涉及一种背钝化激光开槽导电结构,属于太阳能电池制造技术领域。
背景技术
随着产业持续发展,光伏行业竞争愈演愈烈,低成本、高效率成为大家共同追逐的目标。寻找新的技术势在必行,选择性发射极背面接触电池技术(PERC)应运而生,和常规单多晶电池工艺相比,背面钝化局域背接触电池主要增加了背面钝化、背面SiNx膜沉积和激光打孔开槽三道工艺,其中激光打孔开槽工艺是利用一定脉冲宽度的激光作用于背面钝化和背面SiNx膜层,高能量的单色激光束与膜层发生力与热相互作用后形成圆孔状光斑,去除掉圆孔区域覆盖在电池背面的钝化层和SiNx覆盖层,以使丝网印刷的铝浆可以与电池背面的硅片衬底形成有效接触,从而使光生载流子可以通过Al层导出,并形成局域铝背场结构,因Al浆无法穿透SiNx层,其余未被激光去除的钝化层被覆盖在其上方的SiNx覆盖层保护,发挥降低表面复合速率,提升效率的作用。
目前开孔率(激光打孔开槽结构面积与电池片表面积的比值)为3-8%,绝大多数采用的开槽方式有两种,即直线式开槽如图1和线段式开槽如图2,直线开槽的优点是:硅片与铝背场接触性较好,FF较高,缺点是复合中心较多,Uoc及Isc较低;线段式开槽的优点是:Al2O3与SiNx薄膜钝化层保留较大,钝化效果优于直线是开槽图形,在Uoc、Isc上优势明显,但线段开槽接触的方式,会增大接触电阻,导致FF有大幅的降低,如何设置一个合理的激光开槽图形来平衡三个电性能参数Uoc、Isc、FF是提高PERC+SE太阳电池片转换效率的关键。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种在保证产能、成本不增加的基础上,采用低开孔率在FF影响较少的情况下提升Uoc、Isc的背钝化激光开槽导电结构。
为了解决上述技术问题,本实用新型的背钝化激光开槽导电结构,包括在太阳能电池的钝化膜上平行排布的多行开槽段,每行的各段开槽段之间的间距相等且每行相邻的开槽段之间形成虚线段,每行的每段开槽段均采用3~10个激光光斑相连构成,采用激光光斑相连构成的开槽段形成由激光光斑串接的直线段。
相邻两行的直线段错开布置。
所述激光光斑尺寸控制在35±3um,每段开槽段中相邻的激光光斑的间距控制在40-350um。
所述虚线段的长度控制在0.8-1.2mm。
所述虚线段占直线段的50%~90%。
所述太阳能电池为PERC电池。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晋能光伏技术有限责任公司,未经晋能光伏技术有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201922113260.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的